探析GaAs HBTTaN HEMT器件：热生成、性能仿真与可靠性评估.docx

探析GaAsHBTTaNHEMT器件：热生成、性能仿真与可靠性评估

一、引言

1.1研究背景与意义

随着微电子技术以及电子封装技术的迅猛发展，电子组件的热流密度急剧攀升，芯片级热流密度已高达300W/CM2。这种热流密度的大幅增加，使得热应力对集成电路和电子组件的负面影响日益加剧。高温不仅会致使集成电路的可靠性显著下降，还会削弱由各类芯片、元器件组成的组件级电路系统的稳定性。据相关研究表明，超过50％的集成电路失效与热应力密切相关。因此，随着集成电路工艺尺寸持续缩小以及电子组件的高密度化封装，热流密度将进一步增大，由此引发的热可靠性问题也会愈发严峻。

在现代电子设备中，GaAsH