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高速硅基电光调制器的研究

一、引言

随着信息技术的飞速发展，数据通信和处理的需求呈指数级增长。在光通信和光互连领域，高速、高效的电光调制器成为关键器件。硅基电光调制器因其与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容、可实现高度集成、成本低等显著优势，成为近年来研究的热点。高速硅基电光调制器对于提升光通信系统的数据传输速率、降低功耗、减小器件尺寸，进而推动光通信和光互连技术的发展具有重要意义。

二、硅基电光调制器的基本原理

（一）等离子色散效应

硅材料本身没有线性电光效应，硅基波导中的电光调制主要利用载流子色散效应，即等离子色散效应。当外界电场作用于硅波导时，会改变硅波导中的载流子（电子和空穴）浓度。载流子浓度的变化进而引起硅材料折射率的改变，根据公式\Deltan=-\frac{e^{2}\lambda^{2}}{8\pi^{2}c^{2}n_{0}}\left(\frac{\DeltaN}{m_{n}^{*}}+\frac{\DeltaP}{m_{p}^{*}}\right)（其中\Deltan为折射率变化，e为电子电荷量，\lambda为光波长，c为真空中光速，n_{0}为初始折射率，\DeltaN和\DeltaP分别为电子和空穴浓度变化，m_{n}^{*}和m_{p}^{*}分别为电子和空穴的有效质量），实现对波导中传输光相位的调制，最终转化为光强度调制。

（二）常用调制方式

正向偏置调制：在波导中制作pin结掺杂，施加正向偏压时，本征区注入大量非平衡少数载流子，改变脊形波导折射率，实现调制。其特点是调制效率较高，但由于载流子输运过程相对缓慢，调制带宽受限。

反向偏置调制：在波导中制作pn结掺杂，施加反向偏压时，pn结未导通，载流子输运快，调制带宽通常较高。

（三）常用光学结构

马赫-曾德尔干涉仪（MZI）型：入射光通过分束器分为两束，分别在MZI两臂波导中传输，再通过合束器合波干涉叠加形成输出光。当调制臂波导因等离子色散效应导致载流子分布变化，传输光相位改变，通过干涉实现光功率调制。其输出光强I_{out}与输入光强I_{in}关系为I_{out}=I_{in}\cos^{2}\left(\frac{\Delta\varphi}{2}\right)，其中\Delta\varphi为两臂光程差引起的相位差。

微环谐振腔（MRR）型：入射光进入直波导并部分耦合进微环，直波导光场与从微环耦合回直波导的光场干涉叠加形成输出光场。通过电学结构改变微环波导折射率，改变微环中传输光相位，进而改变干涉叠加效果实现调制。对于Add-drop型微环，其Through端输出光强透射率T_{Through}=\left|\frac{t_{1}-\alphat_{2}e^{j\varphi}}{1-\alphat_{1}t_{2}e^{j\varphi}}\right|^{2}，其中t_{1}和t_{2}分别为微环与输入端和下载端波导的振幅透射率，\alpha=e^{-\alpha_{0}L/2}为光在环内传输一周的振幅损耗因子，\varphi=\frac{2\pi}{\lambda}n_{eff}L为光在微环内传输一周后的相位变化。

（四）常用电学结构

MOS电容型：在脊形波导中插入一层栅氧层构成电容结构，施加偏压时，栅氧层两边形成载流子积累，改变脊形波导折射率。

正向PIN型：由本征区脊形波导和两侧P区、N区重掺杂平板区构成，正向偏压下本征区注入大量非平衡少数载流子改变折射率。

反向PN型：脊形波导中为轻掺杂的P和N区，施加反向偏压时耗尽区宽度增大，波导中已有载流子减少，改变折射率。

三、限制高速性能的关键因素及优化策略

（一）载流子输运

在正向偏置调制中，载流子注入和复合过程较慢，限制了调制带宽。可通过优化掺杂分布、减小有源区长度等方式加快载流子输运。例如采用突变结设计，减少载流子扩散距离，提高调制速度。在反向偏置调制中，虽然载流子输运快，但需考虑耗尽区扩展速度对调制带宽的影响，可通过优化pn结结构，如采用渐变掺杂pn结，提高耗尽区扩展速度，提升调制带宽。

（二）电极寄生效应

调制器的驱动电极存在寄生电阻R、寄生电容C，形成寄生RC常数。根据公式f_{3dB}=\frac{1}{2\piRC}（f_{3dB}为3dB带宽），寄生RC常数限制了调制器的电响应速度。优化策略包括采用低电阻材料制作电极，如铜电极替代铝电极；减小电极与波导间的寄生电容，可通过优化电极与波导的间距、采用特殊的电极结构，如共面波导电极结构，降低寄生电容，提高调制带宽。

（三）光响应特性

对于微环谐振腔型调制器，微环谐振腔内的光子寿命会限制调制带宽。光子寿命\