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碳化硅MOSFET驱动技术：原理、挑战与创新策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，随着能源需求的增长和对能源利用效率要求的不断提高，开发高性能的功率器件及相关驱动技术成为关键。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和漂移速度快等显著优势，基于SiC材料制成的碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）在性能上相较于传统的硅基功率器件实现了重大突破。

碳化硅MOSFET的高工作频率特性使其在开关电源、电机驱动等应用中，能够显著减小