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2025年（微电子科学与工程）微电子工艺试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单选题（每题2分，共20分）

1.微电子工艺中，光刻的主要作用是（）

A.形成电路图案B.掺杂杂质C.氧化硅片D.去除多余材料

答案：A

2.以下哪种材料常用于CMOS工艺中的栅极（）

A.硅B.二氧化硅C.多晶硅D.金属

答案：C

3.离子注入的目的是（）

A.改变材料的电学性能B.去除表面杂质C.生长氧化层D.光刻图案

答案：A

4.化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.生长薄膜B.去除杂质C.光刻显影D.离子注入

答案：A

5.光刻工艺中，分辨率主要取决于（）

A.光刻胶的厚度B.曝光光源的波长C.显影时间D.刻蚀速率

答案：B

6.掺杂硼元素会使硅材料成为（）

A.N型半导体B.P型半导体C.绝缘体D.导体

答案：B

7.干法刻蚀的优点不包括（）

A.高分辨率B.对衬底损伤小C.刻蚀速率快D.设备成本低

答案：D

8.以下哪种氧化方法常用于集成电路工艺（）

A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.等离子体增强氧化

答案：A

9.金属互连工艺中常用的金属材料是（）

A.铜B.铝C.金D.银

答案：B

10.退火工艺的主要作用是（）

A.消除晶格缺陷B.降低杂质浓度C.提高光刻分辨率D.增强刻蚀效果

答案：A

二、多选题（每题2分，共20分）

1.微电子工艺包含的主要步骤有（）

A.光刻B.掺杂C.氧化D.刻蚀E.互连

答案：ABCDE

2.光刻胶的特性包括（）

A.感光性B.粘附性C.抗蚀性D.溶解性E.导电性

答案：ABCD

3.离子注入的参数有（）

A.注入离子种类B.注入剂量C.注入能量D.注入时间E.光刻胶厚度

答案：ABCD

4.CVD工艺可分为（）

A.常压化学气相沉积B.低压化学气相沉积C.等离子体增强化学气相沉积D.光化学气相沉积E.热化学气相沉积

答案：ABCDE

5.掺杂的方法有（）

A.离子注入B.扩散C.外延生长D.化学气相沉积掺杂E.光刻掺杂

答案：ABCD

6.氧化层的作用有（）

A.电绝缘B.杂质扩散阻挡层C.光刻掩膜D.提高器件性能E.增强导电性

答案：ABCD

7.干法刻蚀的类型有（）

A.化学刻蚀B.物理刻蚀C.反应离子刻蚀D.等离子体刻蚀E.激光刻蚀

答案：ABCD

8.金属互连工艺的要求包括（）

A.低电阻B.良好的导电性C.与半导体材料接触良好D.抗电迁移E.光刻图案清晰

答案：ABCDE

9.退火工艺的类型有（）

A.热退火B.快速热退火C.激光退火D.电子束退火E.化学退火

答案：ABCD

10.微电子工艺中常用的衬底材料有（）

A.硅B.锗C.碳化硅D.蓝宝石E.玻璃

答案：ABC

三、判断题（每题2分，共20分）

1.光刻是微电子工艺中最关键的步骤之一（）

答案：√

2.掺杂浓度越高，半导体的导电性越好（×）

答案：×

3.CVD生长的薄膜质量与工艺参数无关（×）

答案：×

4.干法刻蚀比湿法刻蚀更适合高精度光刻图案（√）

答案：√

5.氧化层的厚度对器件性能没有影响（×）

答案：×

6.金属互连工艺中，金属的选择只考虑导电性（×）

答案：×

7.退火工艺可以提高半导体材料的纯度（×）

答案：×

8.光刻胶在曝光后溶解性会发生变化（√）

答案：√

9.离子注入只能改变材料的表面性质（×）

答案：×

10.微电子工艺中，各个步骤的顺序是固定不变的（×）

答案：×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、简答题（每题2分，共20分）

1.简述光刻的基本原理。

_光刻是利用光刻胶对特定波长光的感光特性，在硅片表面涂覆光刻胶，通过掩膜版将光照射到需要光刻的区域，使光刻胶发生化学反应，然后通过显影去除未曝光的光刻胶，从而在硅片上形成与掩膜版图案对应的光刻胶图案，以此为模板进行后续的掺杂、刻蚀等工艺。_

2.说明掺杂对半导体电学性能的影响。

_掺杂可以改变半导体的导电类型，如掺杂硼形