T_CPSS 1018-2025 半导体制造用等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法.docxVIP

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团体标准

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半导体制造用等离子体工艺射频电源Testmethods

半导体制造用等离子体工艺射频电源

TestmethodsfordynamicimpedanceofRFgeneratorappliedinsemiconductormanufacturingpasmaprocess

体制造用等离子体工艺射频I动态阻抗测试方法

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nsemiconductormanufacturingplasm:

2025-08-22发布2025-08-23实施

中国电源学会发布

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目次

前言 II

1范围 1

3术语和定义 ——1

4测试环境条件 ——1

5测试方法 ——2

5.1射频电源工作状态 2

5.2测试负载工作状态 2

53. ——3

,

6射频电源动态阻抗测试的应用 5

附录A(iH性)射频功率(loadpower)测量值与负载设备阻抗测量值记录格式 6

附录B射频电源动态阻抗系数的计算方法 7

附录C最佳电缆长度计算方法 …15

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前言

本文件按照GB/T1.12020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国电源学会提出并归口。

本文件起草单位:深圳市恒运昌真空技术有限公司、广东工业大学、大连理工大学、拓荆创益 (沈阳)半导体设备有限公司、上海陛通半导体能源科技股份有限公司、肇庆市科润真空设备有限公司、广东腾胜科技创新有限公司、湘潭宏大真空技术股份有限公司、广东振华科技股份有限公司、广东汇成真空科技股份有限公司、上海邦芯半导体科技有限公司、、东莞市晟鼎精密仪器有限公司、

i术有限公司、湖南大学。

本文件主要起草人i人::乐卫卫平平、、林伟群、、黄永镇、张桂东、、高飞、、张赛谦、、郭东、王佳航、汪昌

、孙桂红、梁红、陈立、潘振强、李志荣、梁洁、洗健威、李国

本文件为首次发布

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半导体制造用等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法

1范围

本文件规定了半导体制造等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法的术语和定义、原理、测试环境条件、仪器设备、测试方法、测试报告等技术内容。

本文件适用于半导体刻蚀、薄膜沉积制程工艺等应用场景中,输出中心频率为400KHZ、2MHZ、13.56MHZ、27.12MHZ、40.68MHZ、60MHZ,功率范围小于10KW的半导体制造用等离子体工艺射

频电源动态阻抗测试。/JVO

GB4793.1测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第1部分:通用要求下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适

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