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《半导体器件物理》复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的代表字母填写在题后的括号内。每小题2分，共20分。）

1.在本征半导体中，当温度升高时，下列哪个物理量会增大？

(A)本征载流子浓度

(B)晶体势垒高度

(C)空间电荷区宽度

(D)掺杂剂的电离程度

2.P-N结在平衡状态下，耗尽层内的电场主要是由什么形成的？

(A)结区扩散的多数载流子

(B)结区扩散的少数载流子

(C)内建电势差导致的电子和空穴的静电吸引力

(D)外加电压

3.对于一个理想PN结，其反向饱和电流主要受哪些因素影响？

(A)温度

(B)耗尽层宽度

(C)少数载流子浓度

(D)以上所有因素

4.在双极结型晶体管（BJT）中，实现电流放大的物理基础是？

(A)栅极电压对沟道电流的控制

(B)基极电流对集电极电流的控制

(C)发射结正向偏置，集电结反向偏置（对于NPN）

(D)载流子在基区的复合

5.MOSFET的阈值电压（VT）主要由哪个区域的电场决定？

(A)源极

(B)漏极

(C)栅极氧化层

(D)栅极下硅体内的反型层

6.当MOSFET工作在饱和区时，其输出特性曲线上的电流近似由什么决定？

(A)栅源电压VGS

(B)漏源电压VDS

(C)跨导gm

(D)VGS和gm

7.在BJT的输入特性曲线上，反映的是哪个电压对哪个电流的控制关系？

(A)VCE对IC

(B)VBE对IB

(C)VCE对IB

(D)VBE对IC

8.耗尽型MOSFET在零栅极电压（VGS=0）时，其沟道中的情况是？

(A)存在反型层

(B)存在耗尽层，且扩展到整个沟道

(C)沟道完全导通

(D)沟道完全关断

9.与BJT相比，MOSFET的主要优点之一是？

(A)电流放大系数通常更高

(B)输入阻抗较低

(C)制造工艺简单、成本低、功耗低

(D)对温度不敏感

10.当温度升高时，理想PN结的反向饱和电流如何变化？

(A)增大

(B)减小

(C)不变

(D)先增大后减小

二、填空题（请将答案填写在横线上。每空2分，共20分。）

1.半导体中，将电子从满带激发到导带所需的能量称为________。

2.P-N结耗尽层内的电场方向是由________区指向________区。

3.双极结型晶体管（BJT）实现电流放大的条件之一是发射结加________偏置，集电结加________偏置（以NPN为例）。

4.MOSFET的导电沟道是在________和________之间形成的。

5.描述MOSFET输出特性曲线上饱和区电流大小与栅源电压关系的参数是________。

6.载流子在电场作用下定向移动形成的电流称为________电流。

7.当PN结反向偏置时，其耗尽层宽度会________（填“增大”或“减小”）。

8.影响MOSFET阈值电压大小的主要物理因素包括半导体材料的介电常数、掺杂浓度和栅极材料的功函数。

9.在半导体中，载流子通过量子隧穿效应穿过势垒的现象称为________效应。

10.BJT的电流放大系数β定义为________与________的比值。

三、简答题（请简要回答下列问题。每小题5分，共30分。）

1.简述什么是内建电势差，并说明其产生的原因。

2.简述少数载流子在P-N结耗尽层附近是如何分布的，并解释其意义。

3.什么是BJT的输入特性曲线和输出特性曲线？它们分别反映了哪些物理量之间的关系？

4.解释MOSFET中“耗尽型”和“增强型”的区别主要在于什么？

5.简述温度升高对PN结反向饱和电流和正向压降的主要影响。

6.简述MOSFET的小信号等效模型（如hybrid-pi模型）的主要作用。

四、计算题（请列出必要的公式、计算步骤和最终结果。每小题10分，共50分。）

1.一个硅P-N结，其耗尽层宽度在反向偏置5V时为10微米。假设半导体材料的介电常数为11.7×8.854×10?12F/m，电子和空穴的迁移率分别为1500cm2/V·s和450cm2/V·s。忽略表面复合，求该P