2025年（微电子科学与工程-半导体器件）半导体器件原理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程-半导体器件）半导体器件原理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单选题（每题2分，共20分）

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

2.N型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.正离子D.负离子

3.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

4.二极管的伏安特性曲线中，正向导通时（）

A.电流变化很大，电压变化很小B.电流变化很小，电压变化很大

C.电流和电压变化都很大D.电流和电压变化都很小

5.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

6.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.源极电流D.漏极电流

7.对于MOS管，当栅源电压大于阈值电压时，形成（）。

A.导电沟道B.耗尽层C.绝缘层D.以上都不对

8.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.杂质浓度C.掺杂工艺D.以上都不对

9.半导体器件的反向电流随温度升高而（）。

A.增大B.减小C.不变D.不确定

10.稳压二极管正常工作时处于（）状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.以上都不对

二、多选题（每题2分，共20分）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.导电性

2.以下属于半导体器件的有（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.电阻

3.PN结的特性有（）

A.单向导电性B.电容效应C.整流特性D.放大特性

4.二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.最高反向工作电压D.极间电容

5.三极管的三个工作区域是（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

6.场效应管的优点有（）

A.输入电阻高B.噪声低C.热稳定性好D.功耗低

7.MOS管按导电沟道类型可分为（）

A.N沟道B.P沟道C.增强型D.耗尽型

8.半导体器件的散热方式有（）

A.传导散热B.对流散热C.辐射散热D.以上都不对

9.影响半导体器件性能的因素有（）

A.温度B.光照C.电压D.湿度

10.半导体器件在电子系统中的应用有（）

A.整流B.放大C.开关D.稳压

三、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。（）

2.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（）

3.PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这就是PN结的单向导电性。（）

4.二极管的反向电流越小，其单向导电性越好。（）

5.三极管工作在放大区时，发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。（）

6.场效应管是电流控制型器件。（）

7.MOS管的阈值电压与衬底材料有关。（）

8.半导体器件的性能不会随时间变化。（）

9.稳压二极管工作在反向击穿区时，其两端电压稳定不变，但电流在一定范围内变化时，电压基本不变。（）

10.半导体器件的封装形式不会影响其性能。（）

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、简答题（每题2分，共20分）

1.简述半导体的本征激发和复合过程。

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2.说明PN结形成的原理。

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3.画出二极管的伏安特性曲线，并简要说明各部分的特点。

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4.简述三极管放大作用的实质。

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5.场效应管与三极管相比，有哪些不同之处？

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五、讨论题（每题5分，共20分）

1.分析温度对半导体器件性能的影响，并举例说明如何在实际应用中考虑温度因素。

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2.讨论PN结电容效应在高频电路中的影响及应对措施。

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3.谈谈三极管在数字电路和模拟电路中的不同应用，并举例说明。

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4.探讨场效应管在低功耗、高集成度电路中的优势及应用前景。

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答案：

第I卷

一、单选题

1.C