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2025年（微电子科学与工程）微电子器件试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.以下哪种半导体器件常用于放大电路？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

答案：B

2.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

答案：C

3.N型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.质子

答案：A

4.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）

A.变宽B.变窄C.不变D.先变宽后变窄

答案：B

5.二极管的正向导通电压一般为（）

A.0.1-0.3VB.0.3-0.5VC.0.5-0.7VD.0.7-1V

答案：C

6.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）

A.正向偏置，正向偏置B.正向偏置，反向偏置

C.反向偏置，正向偏置D.反向偏置，反向偏置

答案：B

7.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

答案：C

8.增强型MOS管工作在放大区时，栅源电压（）开启电压

A.大于B.小于C.等于D.无关

答案：A

9.集成运放的输入级一般采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路

C.差分放大电路D.功率放大电路

答案：C

10.以下哪种电路可以实现信号的反相放大？（）

A.同相比例运算电路B.反相比例运算电路

C.加法运算电路D.减法运算电路

答案：B

11.晶体三极管的输出特性曲线可分为（）

A.放大区、截止区、饱和区B.放大区、导通区、截止区

C.饱和区、截止区、导通区D.线性区、非线性区、截止区

答案：A

12.半导体二极管的主要特性是（）

A.放大特性B.单向导电性C.稳压特性D.滤波特性

答案：B

13.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：A

14.三极管的电流放大倍数β的大小与（）有关

A.管子的材料B.管子的结构C.工作电流D.以上都是

答案：D

15.场效应管的跨导gm反映了（）

A.栅源电压对漏极电流的控制能力B.漏源电压对漏极电流的控制能力

C.栅源电压对栅极电流的控制能力D.漏源电压对栅极电流的控制能力

答案：A

16.集成运放的输出级一般采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路

C.差分放大电路D.互补对称功率放大电路

答案：D

17.理想运算放大器的开环电压放大倍数Aod为（）

A.有限值B.零C.无穷大D.不确定

答案：C

18.反相比例运算电路的输入电阻（）

A.很大B.很小C.适中D.不确定

答案：B

19.加法运算电路实现了（）运算

A.多个输入信号的相加B.多个输入信号的相减

C.输入信号的乘法D.输入信号的除法

答案：A

20.减法运算电路实现了（）运算

A.多个输入信号的相加B.多个输入信号的相减

C.输入信号的乘法D.输入信号的除法

答案：B

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

一、填空题（每题2分，共10分）

1.半导体的导电能力介于______和______之间。

答案：导体；绝缘体

2.PN结具有______特性。

答案：单向导电

3.三极管的三个电极分别是______、______和______。

答案：发射极；基极；集电极

4.场效应管根据结构不同可分为______和______。

答案：结型场效应管；绝缘栅型场效应管

5.集成运放由______、______、______和______四部分组成。

答案：输入级；中间级；输出级；偏置电路

二、判断题（每题2分，共10分）

1.半导体中少数载流子的浓度与温度无关。（）

答案：×

2.PN结正向偏置时，电流很小。（）

答案：×

3.三极管工作在饱和区时，发射结和集电结都处于正向偏置。（）

答案：√

4.场效应管的源极和漏极可以互换使用。（）

答案：×

5.集成运放工作在线性区时，必须引入负反馈。（）

答案：√

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述PN结的形成过程。

_答案：在