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2025年（微电子科学与工程-半导体工艺）半导体制造工艺试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.半导体制造工艺中，光刻的主要作用是（）

A.定义器件的几何形状B.掺杂杂质C.形成金属互连D.生长半导体薄膜

答案：A

2.以下哪种材料常用于半导体衬底（）

A.铜B.硅C.金D.铝

答案：B

3.离子注入工艺是用于（）

A.去除杂质B.改变半导体的电学性能C.光刻图形D.生长氧化层

答案：B

4.半导体制造中，氧化层的生长方法不包括（）

A.热氧化B.化学气相沉积C.物理气相沉积D.离子注入氧化

答案：D

5.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护衬底B.作为掺杂源C.形成图形的掩膜D.增强导电性

答案：C

6.下列哪种是常见的半导体掺杂元素（）

A.碳B.氧C.硼D.氮

答案：C

7.半导体制造工艺中，湿法刻蚀的特点是（）

A.刻蚀精度高B.对不同材料选择性好C.损伤小D.适合大规模生产

答案：B

8.金属互连工艺中，常用的金属材料是（）

A.硅B.铜C.锗D.碳

答案：B

9.半导体制造中，外延生长是为了（）

A.改善衬底表面性能B.增加半导体厚度C.改变半导体晶体结构D.以上都是

答案：D

10.光刻分辨率主要取决于（）

A.光刻胶的厚度B.曝光光源波长C.刻蚀时间D.掺杂浓度

答案：B

11.离子注入的能量决定了（）

A.注入杂质的种类B.注入杂质的浓度C.注入杂质的深度D.注入杂质的分布均匀性

答案：C

12.半导体制造工艺中，退火的目的不包括（）

A.消除晶格缺陷B.激活杂质C.提高半导体纯度D.改善电学性能

答案：C

13.化学气相沉积工艺可以用于（）

A.生长半导体薄膜B.光刻图形C.离子注入D.湿法刻蚀

答案：A

14.以下哪种光刻技术分辨率最高（）

A.紫外光刻B.深紫外光刻C.极紫外光刻D.电子束光刻

答案：D

15.半导体制造中，干法刻蚀的优点不包括（）

A.刻蚀精度高B.对环境要求低C.损伤小D.可实现高深宽比刻蚀

答案：B

16.掺杂工艺中，扩散的原理是基于（）A.分子运动B.离子运动C.电子运动D.光子运动

答案：A

17.半导体制造工艺中，光刻对准精度一般要求在（）

A.微米级B.纳米级C.毫米级D.厘米级

答案：B

18.以下哪种不是半导体制造中的清洗工艺（）

A.酸洗B.碱洗C.等离子体清洗D.电镀清洗

答案：D

19.半导体制造中，多层布线的目的是（）

A.增加布线密度B.提高电路性能C.降低成本D.以上都是

答案：D

20.半导体制造工艺中，封装的主要作用是（）A.保护芯片B.方便芯片安装C.提高芯片散热D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（每题2分，共10题，20分）

1.半导体制造工艺主要包括____、____、____、____等步骤。

答案：光刻、掺杂、刻蚀、薄膜生长

2.光刻工艺的主要流程包括____、____、____、____。

答案：涂胶、曝光、显影、去胶

3.离子注入的杂质浓度分布主要取决于____和____。

答案：注入能量、注入剂量

4.氧化层生长的速率与____、____等因素有关。

答案：温度、气体流量

5.湿法刻蚀的选择比是指____。

答案：对不同材料刻蚀速率的比值

6.金属互连工艺中，金属布线的步骤包括____、____、____。

答案：淀积、光刻、刻蚀

7.半导体掺杂的方法有____和____。

答案：扩散、离子注入

8.化学气相沉积的反应类型主要有____、____、____。

答案：热分解、化学合成、化学传输

9.光刻胶按化学性质可分为____和____。

答案：正性光刻胶、负性光刻胶

10.半导体制造中，退火的温度一般在____范围。

答案：几百摄氏度到上千摄氏度

三、简答题（每题5分，共4题，20分）

1.简述光刻工艺中曝光的原理。

_答：曝光是光刻工艺的关键步骤。通过光刻设备将掩膜版上的图形信息，利用光的照射转移到涂覆在半导体衬底上的光刻胶上。光照射到光刻胶上会引起