2025年（微电子科学与技术）半导体物理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体物理试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴D.离子

2.本征半导体中自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

3.N型半导体中，多数载流子是（）

A.自由电子B.空穴C.离子D.杂质原子

4.半导体的导电能力随温度升高而（）

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

5.杂质半导体中，杂质能级（）

A.都在禁带中B.有的在导带，有的在价带C.都在导带D.都在价带

6.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

7.半导体二极管的伏安特性曲线中，正向导通时（）

A.电流变化大，电压变化小B.电流变化小，电压变化大C.电流和电压变化都大D.电流和电压变化都小

8.稳压二极管正常工作时处于（）

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.不确定

9.晶体管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。

A.正向偏置，正向偏置B.正向偏置，反向偏置C.反向偏置，正向偏置D.反向偏置，反向偏置

10.共发射极放大电路中，输出电压与输入电压的相位关系是（）

A.同相B.反相C.不确定D.超前90°

11.半导体中载流子的迁移率与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.电场强度D.以上都是

12.本征半导体的费米能级位于（）

A.禁带中央B.导带底C.价带顶D.不确定

13.当PN结外加反向电压时，反向电流（）

A.很大B.很小C.随电压增大而增大D.不确定

14.半导体二极管的反向饱和电流随温度升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

15.晶体管的电流放大倍数β与（）有关。

A.温度B.集电极电流C.基极电流D.以上都是

16.共集电极放大电路的电压放大倍数（）

A.大于1B.小于1C.等于1D.不确定

17.半导体中产生光电效应时，吸收光子能量后产生（）

A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴D.离子

18.发光二极管发光是由于（）

A.电子与空穴复合B.吸收光子C.发射光子D.不确定

19.半导体激光器产生激光的条件不包括（）

A.粒子数反转分布B.光学谐振腔C.足够的泵浦功率D.正向偏置

20.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）填空题（每题2分，共10分）

1.半导体中的两种载流子是______和______。

2.杂质半导体分为______型和______型。

3.PN结具有______特性。

4.晶体管有______、______、______三个电极。

5.场效应管分为______型和______型。

（二）简答题（每题5分，共20分）

1.简述本征半导体与杂质半导体的区别。

___

2.说明PN结单向导电性的原理。

___

3.画出共发射极放大电路的原理图，并简述其工作原理。

___

4.简述场效应管的特点。

___

（三）分析题（每题10分，共20分）

1.分析半导体二极管正向导通和反向截止时的电流情况。

___

2.分析晶体管在放大区、饱和区和截止区的工作状态及特点。

___

（四）计算题（每题5分，共10分）

1.已知某半导体的电子迁移率为0.13m2/(V·s)，空穴迁移率为0.05m2/(V·s)，求该半导体的电导率（设电子浓度和空穴浓度均为10^16cm^-3）。

2.某晶体管的β=50，I_B=20μA，求I_C。

答案：

第I卷（选择题共40分）

1.C

2.C

3.A

4.A

5.A

6.A

7.A

8.C

9.B

10.B

11.D

12.A

13.B

14.A

15.D

16.B

17.C

18.A

19.D

20.A

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）填空题（每题2分，共