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溶液法制备氧化物薄膜晶体管介质层和沟道层的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对高性能、低成本且可大面积制备的电子器件的需求日益增长。氧化物薄膜晶体管（OxideThin-FilmTransistors，OxideTFTs）作为一种新型的场效应晶体管，因其独特的优势在显示和电子领域展现出巨大的应用潜力，逐渐成为研究的热点。

在显示领域，氧化物TFTs是平板显示器（如液晶显示器LCD、有机发光二极管显示器OLED等）的核心部件之一，其性能直接影响着显示面板的分辨率、对比度、响应速度和功耗等关键指标。相较于传统的非晶硅和多晶硅