硅习题及答案.docxVIP

硅习题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

硅的晶体结构为面心立方结构，其晶格常数a=0.543nm。请计算硅的：

(1)简并电子气体的能态密度D(E)表达式（用普朗克常数h、电子质量m*、有效作用体积V以及能量E表示）。

(2)在300K时，能量为E=1.5eV的能态上的电子占有数n(E)。（需写出最终表达式，但无需计算具体数值）

二、

简述形成硅能带的主要物理过程。为什么硅的导带底和价顶不是简单的s态或p态？

三、

在室温下，纯硅样品的电子浓度为n=1.5x101?/cm3。若向该样品中分别掺入适量的磷（施主杂质）和硼（受主杂质），使得磷引入的杂质浓度N_D=5x1021/cm3，硼引入的杂质浓度N_A=2x1021/cm3。请回答：

(1)该样品是N型还是P型半导体？其本征载流子浓度n_i的典型数量级是多少（以cm?3为单位）？

(2)计算该样品的多数载流子浓度（电子浓度或空穴浓度）。

(3)若该样品的厚度为100微米，在两表面施加正向电压1V，请定性说明电子和空穴是如何运动的，并简述形成电流的过程。

四、

一个理想的PN结在零偏压（V=0）时的内建电势φ_bi与温度T有关。请推导出其与温度T的关系式，并说明温度升高时，内建电势是增大还是减小？

五、

对于MOS电容（Metal-Oxide-SemiconductorCapacitor），当在栅极金属板和半导体硅之间施加一个电压V_GS时，会改变半导体表面的能带结构。请描述：

(1)当施加正的V_GS（对于n型硅）时，价带顶会发生什么变化？这是否意味着半导体表面形成了耗尽层？请解释。

(2)如果继续增大V_GS，当V_GS超过某个阈值电压V_th时，表面会发生什么变化？此时器件的工作状态通常如何称呼？

六、

计算一个硅样品的载流子迁移率μ。已知信息：该样品的电子有效质量m*=0.92m_e，空穴有效质量m*_h=0.55m_e，电子电荷e=1.6x10?1?C，波尔兹曼常数k_B=1.38x10?23J/K，自由电子态密度N_c=2.8x102?m?3，有效态密度N_v=1.04x102?m?3。假设电场E=1x10?V/m，温度T=300K。请先写出计算μ的表达式（分别给出电子和空穴迁移率的表达式），然后计算在电场作用下，电子和空穴的平均漂移速度v_d。

七、

解释什么是“本征半导体”和“非本征半导体”。举例说明至少两种不同类型的非本征半导体，并简要说明它们是如何通过掺杂改变其导电性的。

试卷答案

一、

(1)D(E)=(2m*)3/2*(2π?)3*E^(1/2)/h3*V

(2)n(E)=1/(e^[(E-E_F)/(k_BT)]+1)

解析：

(1)能态密度D(E)描述了在单位能量区间内，固体中电子能够占据的量子态数。对于三维简并电子气，其能态密度表达式为D(E)=(2m*)3/2*(2π?)3*E^(1/2)/h3*V，其中m*是电子有效质量，h是普朗克常数，E是电子能量，V是有效作用体积，π是圆周率。此公式来源于量子力学中自由粒子能级分布和相空间体积的计算。

(2)在半导体物理中，费米-狄拉克统计描述了电子在能量为E的状态上的占有数。其表达式为n(E)=1/(e^[(E-E_F)/(k_BT)]+1)，其中E_F是费米能级，k_B是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。当E远大于E_F时，n(E)近似为0；当E远小于E_F时，n(E)近似为1。在300K时，若E=1.5eV，需要将E、E_F、k_B、T代入上述公式计算具体数值，但题目仅要求写出表达式。

二、

硅原子最外层有4个价电子，位于3s轨道。在形成晶体时，每个硅原子与最近的4个硅原子成键，其价电子云不是简单地局域在单个原子周围，而是围绕成键原子核运动。这4个原子的s轨道线性组合形成4个能带，每个能带包含大量靠得很近的能级。由于s轨道具有球对称性，形成的能带在k空间中是二维布里渊区的中心（Γ点）附近最密集。随着k值偏离Γ点，s能带的能级逐渐分开，与其他原子轨道（如p轨道）形成的能带发生交叠和混合。p轨道具有方向性，形成的能带在k空间的不同区域（如X点、L点）有显著贡献。最终，在Γ点附近，p轨道形成的能带与s能带的顶部以及部分d能带的贡献混合，形成了复杂的能带结构。导带底位于Γ点附近，具有较简单的形状，但不是纯粹的s或p态。价带顶位于X点附近（对于金刚石结构），其波函数具有sp3杂化轨道的性质，也不是简单的s或p态。能带的形成是原子间相互作用导致原子能级分裂和扩展的结果。

三、

(1)该样品是N型半导体。室温下本征