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2025年（微电子科学与工程）半导体物理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

一、（总共10题，每题2分）

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴D.离子

答案：C

2.本征半导体的导电能力取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.以上都是

答案：D

3.N型半导体中多数载流子是（）

A.自由电子B.空穴C.离子D.电子和空穴

答案：A

4.半导体的禁带宽度与温度的关系是（）

A.随温度升高而增大B.随温度升高而减小C.与温度无关D.先增大后减小

答案：B

5.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：A

6.以下哪种半导体器件具有单向导电性（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

答案：A

7.杂质半导体中，杂质电离能的大小与（）有关。

A.杂质种类B.温度C.半导体材料D.以上都是

答案：D

8.半导体中载流子的迁移率与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.电场强度D.以上都是

答案：D

9.当PN结外加反向电压时，反向电流主要由（）形成。

A.扩散电流B.漂移电流C.热电流D.光电流

答案：B

10.半导体的光电效应包括（）

A.光生伏特效应B.光电导效应C.光发射效应D.以上都是

答案：D

二、（总共10题，每题2分）

1.以下关于半导体的说法正确的是（）

A.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间

B.半导体的电阻率随温度升高而增大

C.半导体中不存在自由电子和空穴

D.半导体只能制成二极管

答案：A

2.本征半导体的费米能级位于（）

A.禁带中央B.导带底C.价带顶D.不确定

答案：A

3.杂质半导体中，施主杂质电离后向半导体提供（）

A.自由电子B.空穴C.离子D.电子和空穴

答案：A

4.当PN结处于平衡状态时，以下说法正确的是（）

A.扩散电流为零B.漂移电流为零C.扩散电流等于漂移电流D.扩散电流大于漂移电流

答案：C

5.二极管的伏安特性曲线包括（）

A.正向特性B.反向特性C.击穿特性D.以上都是

答案：D

6.三极管工作在放大区时，发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。

A.正向，正向B.正向，反向C.反向，正向D.反向，反向

答案：B

7.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

答案：C

8.半导体的热噪声是由（）引起的。

A.载流子的无规则热运动B.杂质的存在C.温度变化D.光照

答案：A

9.以下哪种半导体器件常用于放大电路（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

答案：B

10.半导体的光电导效应是指（）

A.光照使半导体的电导率增加

B.光照使半导体的电导率减小

C.光照对半导体的电导率无影响

D.光照使半导体产生光电流

答案：A

三、（总共4题，每题5分）

1.简述PN结的形成过程。

答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于两者之间存在载流子浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。扩散的结果使交界面附近形成了一个空间电荷区，即PN结。在空间电荷区，由于缺少载流子，形成了内电场，其方向由N区指向P区。

2.说明二极管的单向导电性原理。

答：当二极管外加正向电压时，外电场削弱了内电场，使空间电荷区变窄，扩散电流大于漂移电流，二极管导通。当二极管外加反向电压时，外电场增强了内电场，使空间电荷区变宽，漂移电流大于扩散电流，二极管截止。所以二极管具有单向导电性。

3.分析三极管工作在放大区的条件及电流放大原理。

答：三极管工作在放大区的条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。当发射结正向偏置时，发射区的多数载流子（电子）不断向基区扩散，在基区中，电子与空穴复合，形成基极电流。由于基区很薄且掺杂浓度低，所以只有很少一部分电子在基区复合，大部分电子能扩散到集电结边缘。又因为集电结反向偏置，这些电子被集电极收集，形成集电极电流。集电极电流远大于基极电流，实现了电流放大。

4.解释半导体的光