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2025年(微电子科学与工程)薄膜技术试题及答案
分为第I卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,满分100分,考试时间90分钟。
第I卷(选择题共40分)
答题要求:请将正确答案的序号填在括号内。
一、单选题(总共10题,每题2分)
1.薄膜技术中,以下哪种方法不属于物理气相沉积?()
A.蒸发镀膜B.溅射镀膜C.化学气相沉积D.离子镀
2.蒸发镀膜时,蒸发源的温度对镀膜质量有重要影响,一般来说,温度越高,()。
A.蒸发速率越快,膜层质量越好B.蒸发速率越快,膜层质量越差
C.蒸发速率越慢,膜层质量越好D.蒸发速率越慢,膜层质量越差
3.溅射镀膜中入射离子的能量主要来源于()。
A.电场加速B.磁场加速C.热运动D.重力
4.化学气相沉积过程中,反应气体在衬底表面发生()。
A.物理吸附B.化学吸附C.物理反应D.化学反应
5.薄膜的厚度均匀性是一个重要指标,以下哪种方法有助于提高薄膜厚度均匀性?()
A.采用点蒸发源B.提高蒸发温度C.采用旋转衬底D.降低反应气体流量
6.对于薄膜的附着力,以下哪种情况表示附着力较好?()
A.薄膜容易脱落B.薄膜与衬底之间有明显的分层C.薄膜与衬底结合紧密D.薄膜表面有裂纹
7.薄膜的电阻率与()有关。
A.薄膜材料B.薄膜厚度C.衬底材料D.以上都对
8.离子镀过程中,离子轰击衬底表面的作用不包括()。
A.清洁衬底表面B.提高薄膜附着力C.改变薄膜晶体结构D.降低薄膜沉积速率
9.在制备金属薄膜时,为了获得较好的电学性能,通常希望薄膜具有()。
A.较大的晶粒尺寸B.较小的晶粒尺寸C.疏松的结构D.较多的缺陷
10.以下哪种薄膜材料常用于微电子器件中的导电层?()
A.SiO?B.AlC.SiD.GaAs
二、多选题(总共10题,每题2分)
1.物理气相沉积的特点包括()。
A.镀膜纯度高B.镀膜厚度均匀性好C.可在复杂形状衬底上镀膜D.设备成本低
2.蒸发镀膜的蒸发源材料有()。
A.钨B.钼C.钽D.石墨
3.溅射镀膜的溅射靶材可以是()。
A.金属B.合金C.陶瓷D.半导体
4.化学气相沉积常用的反应气体有()。
A.氢气B.氧气C.甲烷D.氨气
5.影响薄膜厚度的因素有()。
A.蒸发速率B.沉积时间C.反应气体流量D.衬底温度
6.提高薄膜附着力的方法有()。
A.对衬底进行表面预处理B.采用合适的镀膜工艺参数C.增加薄膜厚度D.降低衬底温度
7.薄膜的光学性能包括()。
A.透过率B.吸收率C.反射率D.折射率
8.离子镀的优点有()。
A.膜层附着力强B.可镀材料广泛C.镀膜速率快D.膜层质量高
9.在制备半导体薄膜时,需要考虑的因素有()。
A.薄膜的晶体结构B.薄膜的杂质含量C.薄膜的电学性能D.薄膜的光学性能
10.薄膜技术在微电子科学与工程中的应用包括()。
A.集成电路制造B.传感器制造C.光电器件制造D.封装技术
三(总共4题,每题5分)
1.简述物理气相沉积和化学气相沉积的主要区别。
2.蒸发镀膜过程中,如何控制膜层的厚度和均匀性?
3.溅射镀膜的原理是什么?
4.化学气相沉积的反应类型有哪些?
四、判断题(总共10题,每题2分)
1.物理气相沉积只能制备金属薄膜。()
2.蒸发镀膜时,蒸发源的形状对膜层厚度均匀性没有影响。()
3.溅射镀膜中,入射离子的能量越高,溅射产率越低。()
4.化学气相沉积过程中,反应气体的浓度对薄膜质量没有影响。()
5.薄膜的厚度可以通过测量其电阻来间接确定。()
6.提高衬底温度可以提高薄膜的附着力。()
7.薄膜的硬度与薄膜材料和制备工艺有关。()
8.离子镀过程中,衬底不需要加热。()
9.在制备多层薄膜时,各层薄膜的沉积顺序对薄膜性能没有影响。()
10.薄膜技术在微电子领域的应用越来越广泛。()
五、简答题(总共4题,每题5分)
1.简述化学气相沉积制备SiO?薄膜的过程及原理。
2.如何提高薄膜的电学性能?
3.举例说明薄膜技术在集成电路中的应用。
4.分析
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