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2025年（微电子科学与工程-半导体工艺应用）半导体工艺应用试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将答案填写在每小题后的括号内。

1.半导体工艺中，光刻的主要作用是（）

A.掺杂杂质

B.形成电路图案

C.去除多余的半导体材料

D.提高半导体的导电性

答案：B

2.以下哪种气体常用于半导体刻蚀工艺（）

A.氧气

B.氮气

C.氢气

D.氯气

答案：D

3.在半导体制造中，氧化层的主要功能不包括（）

A.作为绝缘层

B.保护半导体表面

C.参与掺杂过程

D.提高器件的稳定性

答案：C

4.半导体掺杂时，P型半导体是通过掺入（）杂质形成的。

A.硼

B.磷

C.硅

D.锗

答案：A

5.以下哪个步骤是半导体晶圆制造的第一步（）

A.光刻

B.氧化

C.硅片制备

D.掺杂

答案：C

6.化学气相沉积（CVD）工艺主要用于（）

A.在半导体表面沉积薄膜

B.去除半导体表面的污染物

C.对半导体进行加热处理

D.改变半导体的晶体结构

答案：A

7.半导体工艺中，湿法刻蚀的优点不包括（）

A.选择性好

B.工艺简单

C.成本较低

D.能实现高精度刻蚀

答案：D

8.以下哪种光刻技术分辨率最高（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.X射线光刻

D.电子束光刻

答案：D

9.半导体器件中的金属互连层主要作用是（）

A.实现器件之间的电气连接

B.增强半导体的发光性能

C.提高半导体的散热能力

D.防止半导体受到外界干扰

答案：A

10.在半导体工艺中，退火的目的是（）

A.消除晶格缺陷

B.增加半导体的杂质浓度

C.降低半导体的电阻率

D.提高光刻的精度

答案：A

11.以下哪种材料不是常见的半导体衬底材料（）

A.硅

B.锗

C.碳化硅

D.铜

答案：D

12.半导体工艺中，外延生长是指（）

A.在原有半导体表面生长一层不同材料的半导体

B.去除半导体表面的一层材料

C.对半导体进行加热外延

D.使半导体的外延尺寸变大

答案：A

13.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，干法刻蚀的优势在于（）

A.刻蚀速度快

B.对光刻胶损伤小

C.成本更低

D.能刻蚀任意形状

答案：B

14.半导体工艺中，离子注入是一种（）

A.掺杂方法

B.刻蚀方法

C.氧化方法

D.光刻方法

答案：A

15.以下哪种工艺用于提高半导体器件的可靠性（）

A.钝化工艺

B.光刻工艺

C.掺杂工艺

D.氧化工艺

答案：A

16.半导体工艺中，光刻胶的作用是（）

A.作为刻蚀的掩膜

B.提高半导体的导电性

C.参与半导体的化学反应

D.增强半导体的发光性能

答案：A

17.以下哪种半导体器件是基于PN结原理工作的（）

A.二极管

B.晶体管

C.集成电路

D.电阻

答案：A

18.在半导体工艺中，清洗工艺的目的是（）

A.去除半导体表面的杂质和污染物

B.提高半导体的纯度

C.增强半导体的机械性能

D.改变半导体的颜色

答案：A

19.半导体工艺中，扩散工艺主要用于（）

A.杂质在半导体内部的均匀分布

B.形成半导体的表面图案

C.去除半导体表面的氧化层

D.提高半导体的硬度

答案：A

20.以下哪种技术用于检测半导体器件的电学性能（）

A.光刻技术

B.电子显微镜技术

C.探针测试技术

D.氧化技术

答案：C

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

21.简答题（每题5分，共20分）

-（1）简述半导体光刻工艺的基本流程。

_光刻工艺基本流程包括：涂覆光刻胶，使光刻胶均匀覆盖在半导体晶圆表面；曝光，通过光刻设备将掩膜版上的图案转移到光刻胶上；显影，去除未曝光部分的光刻胶，从而在晶圆表面形成与掩膜版图案对应的光刻胶图形；刻蚀或离子注入等后续工艺，利用光刻胶图形作为掩膜，对晶圆进行刻蚀或离子注入等操作，以实现特定的半导体器件结构。_

-（2）说明化学气相沉积（CVD）工艺的原理及常用的CVD方法。

_CVD工艺原理是利用气态反应物在高温下发生化学反应，在半导体表面沉积固态薄膜。常用的CVD方法有常压化学气相沉积（APCVD），在常压下进行反应；低压化学气相沉积（LPCVD），在较低压力下反应，可提高薄膜质量和均匀性；等离子体增强化学气相沉积（PECVD），利用等离子体激活反应物，能在较低温度下沉积薄膜。_

-（3）阐述半导体掺杂的目的及常用的掺杂方法。

_掺杂目的是改变半导体的电学性能，如形成P型或N型半导体，制造二极管、晶