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2025年（微电子科学与技术）半导体工艺设备试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每题2分。在每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.以下哪种设备常用于半导体光刻工艺？

A.离子注入机

B.光刻机

C.化学气相沉积设备

D.刻蚀机

答案：B

2.半导体制造中，用于清洗晶圆表面杂质的设备是？

A.扩散炉

B.光刻机

C.清洗机

D.离子注入机

答案：C

3.化学气相沉积设备主要用于？

A.在晶圆表面生长薄膜

B.去除晶圆表面氧化层

C.对晶圆进行光刻

D.对晶圆进行掺杂

答案：A

4.以下哪种气体不是半导体工艺中常用的刻蚀气体？

A.氯气

B.氧气

C.氢气

D.氟气

答案：C

5.离子注入机的作用是？

A.在晶圆中引入杂质原子

B.去除晶圆表面薄膜

C.对晶圆进行加热

D.对晶圆进行光刻

答案：A

6.半导体制造中，退火工艺通常在什么设备中进行？

A.扩散炉

B.光刻机

C.离子注入机

D.化学气相沉积设备

答案：A

7.用于测量晶圆厚度的设备是？

A.椭偏仪

B.探针台

C.厚度仪

D.光刻机

答案：C

8.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护晶圆表面特定区域

B.对晶圆进行掺杂

C.清洗晶圆表面

D.加热晶圆

答案：A

9.半导体制造中，干法刻蚀的优点不包括？

A.刻蚀精度高

B.对环境友好

C.刻蚀速度快

D.可实现选择性刻蚀

答案：B

10.以下哪种设备不属于半导体封装设备？

A.贴片机

B.回流焊炉

C.光刻机

D.灌封机

答案：C

11.扩散炉中进行的主要工艺是？

A.杂质扩散

B.薄膜生长

C.晶圆清洗

D.光刻

答案：A

12.光刻机的分辨率主要取决于？

A.光源波长

B.光刻胶厚度

C.晶圆尺寸

D.刻蚀气体种类

答案：A

13.化学气相沉积生长的薄膜质量与以下哪个因素关系不大？

A.反应气体流量

B.反应温度

C.晶圆材质

D.光刻机性能

答案：D

14.离子注入时，离子的能量主要影响？

A.杂质在晶圆中的分布深度

B.薄膜的生长速度

C.光刻胶的附着力

D.晶圆的清洗效果

答案：A

15.半导体制造中，湿法刻蚀的特点是？

A.刻蚀速度快，选择性好

B.刻蚀精度高，对环境友好

C.设备成本低，刻蚀速度慢

D.可实现高深宽比刻蚀

答案：C

16.用于检测晶圆电学性能的设备是？

A.扫描电子显微镜

B.探针台

C.原子力显微镜

D.椭偏仪

答案：B

-17.光刻工艺中，曝光的目的是？

A.使光刻胶发生化学反应

B.去除光刻胶

C.对晶圆进行加热

D.对晶圆进行掺杂

答案：A

18.半导体制造中，退火的目的不包括？

A.消除晶格缺陷

B.改善杂质分布

C.提高薄膜质量

D.降低晶圆温度

答案：D

19.化学气相沉积中，常用的反应类型不包括？

A.热分解反应

B.氧化反应

C.还原反应

D.中和反应

答案：D

20.以下哪种设备用于对晶圆进行切割？

A.划片机

B.光刻机

C.离子注入机

D.化学气相沉积设备

答案：A

第II卷（非选择题共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，将答案写在答题卡相应区域。

1.简述光刻工艺的基本流程。

_光刻工艺基本流程包括涂胶，在晶圆表面均匀涂抹光刻胶；曝光，通过光刻机将掩膜版图案转移到光刻胶上；显影，去除未曝光部分光刻胶，使图案显现；刻蚀，根据光刻胶图案对晶圆表面进行刻蚀；去胶，去除剩余光刻胶。_

2.说明化学气相沉积设备的工作原理。

_化学气相沉积设备工作原理是将气态反应物引入反应腔室，在晶圆表面发生化学反应，反应产物在晶圆表面沉积形成薄膜。通过精确控制反应气体流量、温度、压力等参数，可实现不同薄膜的生长，满足半导体工艺对薄膜性能的要求。_

3.简述离子注入机的主要组成部分。

_离子注入机主要由离子源，产生离子；质量分析器，筛选特定离子；加速器，提高离子能量；扫描系统，使离子均匀注入晶圆；真空系统，提供低真空环境保证离子传输等部分组成。_

4.半导体制造中，扩散炉的温度控制对工艺有何重要性？

_扩散炉温度控制至关重要。合适的温度能保证杂质按预期方式扩散，形成精确的杂质分布，从而影响半导体器件的电学性能。温度过高可能导致杂质扩散过快、分布不均匀，影响器件性能一致性；温度过低则杂质扩散不足，无法达到设计要求。_

（二）讨论题（共20分）

答题要求：请对问题进行深入讨论，观点明确，论述合理，将答案写在答题卡相应区域。

1.探讨干法刻蚀和湿法刻蚀在半导体制造中的优