2025年（微电子科学与技术）半导体器件原理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体器件原理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请每题选出一个最符合题意的选项，将其序号填入括号内。

一、单选题（每题2分，共20分）

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

2.P型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

3.杂质半导体的导电能力（）本征半导体。

A.小于B.等于C.大于D.不确定

4.二极管正向导通时，其两端电压降约为（）

A.0.1VB.0.3VC.0.7VD.1V

5.三极管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

6.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.源极电流D.漏极电流

7.集成运算放大器的输入级一般采用（）电路。

A.共发射极B.共集电极C.共基极D.差分放大

8.半导体器件的温度升高时，其性能（）

A.变好B.不变C.变差D.不确定

9.稳压管正常工作时应工作在（）

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.放大区

10.下列哪种半导体器件具有单向导电性（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

答案：1.C2.B3.C4.C5.B6.A7.D8.C9.C10.A

二、多选题（每题2分，共20分）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

2.杂质半导体分为（）

A.N型半导体B.P型半导体C.本征半导体D.化合物半导体

3.二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.反向击穿电压D.正向压降

4.三极管的三个工作区域是（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.振荡区

5.场效应管的优点有（）

A.输入电阻高B.噪声低C.功耗低D.受温度影响小

6.集成运算放大器的组成部分包括（）

A.输入级B.中间级C.输出级D.偏置电路

7.半导体器件的散热方式有（）

A.传导散热B.对流散热C.辐射散热D.蒸发散热

8.稳压管的特点有（）

A.稳压性能好B.动态电阻小C.温度系数小D.过载能力强

9.晶闸管的导通条件是（）

A.阳极加正向电压B.阴极加正向电压C.门极加正向触发信号D.门极加反向触发信号

10.半导体器件的制造工艺包括（）

A.氧化B.光刻C.掺杂D.外延生长

答案：1.ABC2.AB3.ABC4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABC8.ABC9.AC10.ABCD

三、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.P型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质形成的。（）

3.二极管只要加正向电压就一定能导通。（）

4.三极管工作在饱和区时，集电极电流不受基极电流控制。（）

5.场效应管是电流控制型器件。（）

6.集成运算放大器的开环电压放大倍数很大。（）

7.半导体器件的反向电流随温度升高而减小。（）

8.稳压管正常工作时，其两端电压基本保持不变。（）

9.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。（）

10.半导体器件的封装形式不影响其性能。（）

答案：1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.√9.√10.×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、简答题（每题2分，共20分）

1.简述半导体的导电机制。

_电子和空穴是半导体导电的两种载流子，在电场作用下，电子定向移动形成电子电流，空穴的移动等效于电子的反向移动，从而形成空穴电流。两种电流共同作用使半导体导电。_

2.说明P型半导体和N型半导体的区别。

_P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质形成，多数载流子是空穴，N型半导体是掺入五价杂质形成，多数载流子是电子。它们的导电性能和电学特性有所不同。_

3.二极管的伏安特性曲线分为哪几个区域？

_二极管伏安特性曲线分为正向导通区、反向截止区和反向击穿区。