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2025年（微电子科学与技术）芯片制造工艺试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.以下哪种光刻技术常用于先进芯片制造工艺？（）

A.紫外光刻

B.极紫外光刻

C.深紫外光刻

D.可见光光刻

答案：B

2.芯片制造中，用于掺杂的工艺是（）

A.光刻

B.蚀刻

C.离子注入

D.化学机械抛光

答案：C

3.以下哪种材料常作为栅极绝缘层？（）

A.二氧化硅

B.多晶硅

C.金属铜

D.氮化硅

答案：A

4.芯片制造中，刻蚀的目的是（）

A.去除不需要的材料

B.增加材料厚度

C.改变材料颜色

D.使材料发光

答案：A

5.化学机械抛光主要用于（）

A.平整芯片表面

B.增加芯片粗糙度

C.改变芯片形状

D.给芯片上色

答案：A

6.以下哪种是常见的半导体材料？（）

A.铁

B.硅

C.铜

D.铝

答案：B

7.芯片制造中，光刻的分辨率主要取决于（）

A.光源波长

B.光刻胶厚度

C.曝光时间

D.显影液浓度

答案：A

8.用于形成金属互连的工艺步骤是（）

A.光刻和蚀刻

B.离子注入和退火

C.化学机械抛光和光刻

D.光刻和金属沉积

答案：D

9.以下哪种不是芯片制造中的掩膜材料？（）

A.石英

B.铬

C.光刻胶

D.玻璃

答案：C

10.芯片制造中，退火的作用是（）

A.消除晶格缺陷

B.降低芯片温度

C.增加芯片硬度

D.改变芯片颜色

答案：A

11.以下哪种光刻技术分辨率最低？（）

A.紫外光刻

B.极紫外光刻

C.深紫外光刻

D.可见光光刻

答案：D

12.芯片制造中，外延生长的目的是（）

A.在已有衬底上生长高质量半导体层

B.去除衬底材料

C.改变衬底颜色

D.使衬底发光

答案：A

13.以下哪种材料可作为金属互连的导电材料？（）

A.二氧化硅

B.多晶硅

C.金属铝

D.氮化硅

答案：C

14.芯片制造中，湿法蚀刻的优点是（）

A.蚀刻精度高

B.对图形适应性好

C.成本低

D.不会产生损伤

答案：C

15.用于检测芯片制造缺陷的技术是（）

A.光刻

B.电子束检测

C.离子注入

D.化学机械抛光

答案：B

16.以下哪种是芯片制造中的前端工艺？（）

A.金属互连

B.封装

C.光刻、蚀刻、掺杂等

D.测试

答案：C

17.芯片制造中，光刻胶的作用是（）

A.保护不需要蚀刻的区域

B.增加芯片导电性

C.改变芯片形状

D.给芯片上色

答案：A

18.以下哪种不是芯片制造中的后端工艺？（）

A.金属互连

B.封装

C.光刻

D.测试

答案：C

19.芯片制造中，干法蚀刻的优点是（）

A.蚀刻速度快

B.对环境要求低

C.成本低

D.不会产生损伤

答案：A

20.用于制造芯片的衬底材料通常是（）

A.塑料

B.陶瓷

C.硅片

D.玻璃

答案：C

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，答案写在下方下划线区域。每题5分，共4题。

1.简述光刻工艺的基本流程。

___光刻工艺基本流程包括涂胶，将光刻胶均匀涂覆在芯片表面；曝光，通过掩膜版使光刻胶受特定波长光照射发生化学反应；显影，去除未曝光部分光刻胶，从而在芯片表面留下与掩膜版图形对应的光刻胶图案，为后续蚀刻等工艺提供图形化基础。___

2.说明离子注入掺杂的原理。

___离子注入掺杂是将所需杂质原子电离成离子，经过加速后注入到半导体衬底中，使其在衬底特定区域形成杂质分布，从而改变半导体的电学性能，实现对芯片特定区域的掺杂。___

3.简述化学机械抛光的原理。

___化学机械抛光是利用化学腐蚀和机械研磨的协同作用，通过在抛光垫和芯片表面之间施加一定压力，同时使用含有研磨粒子和化学腐蚀剂的抛光液，去除芯片表面的微小凸起，使表面达到平整光滑的效果。___

4.解释芯片制造中退火工艺的重要性。

___退火工艺能消除芯片制造过程中产生的晶格缺陷，恢复晶格的完整性，降低材料内部应力，改善材料的电学性能，如提高载流子迁移率等，对保证芯片的性能和可靠性至关重要。___

（二）讨论题（共40分）

答题要求：请对问题进行深入讨论，答案写在下方下划线区域。每题10分，共4题。

1.讨论极紫外光刻技术对芯片制造工艺发展的影响。

___极紫外光刻技术具有极高的分辨率，能够满足更先进芯片制造对更小特征尺寸的要求，推动芯片向更高集成度发展。它减少了光刻层数，