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CdS纳米线及其复合结构：制备工艺与光学特性的深度剖析.docx

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    CdS纳米线及其复合结构：制备工艺与光学特性的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今科技飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理化学性质，成为了材料科学领域的研究热点。其中，CdS纳米线作为一种重要的II-VI族半导体纳米材料，因其在光电器件、光催化等领域展现出的巨大应用潜力，备受科研人员的关注。

    CdS纳米线具有优异的光学性质，其带隙宽度约为2.42eV，使其能够有效地吸收紫外光和部分可见光。这种特性使得CdS纳米线在光电器件中具有广泛的应用前景。在发光二极管（LED）领域，CdS纳米线可作为发光层材料，利用其在电场作用下能够高效地将电能转化为光能的特性，有望制

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