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山东大学半导体物理真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内。）

1.晶体中，描述原子或离子排列的有规则、周期性重复的最小单元称为（）。

A.晶胞B.晶面C.原子D.点缺陷

2.在理想的半导体晶体中，电子能级是分立的，这是因为（）。

A.库仑相互作用B.原子核的吸引C.周期性势场导致能级分裂D.费米-狄拉克统计

3.对于直接带隙半导体，光吸收主要发生在（）。

A.导带底与价带顶之间B.导带底与导带顶之间C.价带顶与价带底之间D.禁带中央

4.在半导体热平衡状态下，费米能级位于（）。

A.禁带中央B.导带底C.价带顶D.依赖于温度和掺杂浓度

5.施主杂质在半导体中引入的能级位于（）。

A.导带底之下B.价带顶之上C.禁带中央D.禁带之上

6.PN结在热平衡时，耗尽层内（）。

A.只存在电子B.只存在空穴C.电子和空穴都被耗尽D.存在电中性载流子

7.当PN结施加正向电压时，其耗尽层宽度将（）。

A.变宽B.变窄C.保持不变D.零

8.MOS电容中，起主要储能作用的是（）。

A.金属-氧化物电容B.氧化物-半导体电容C.半导体-氧化物电容D.金属-半导体电容

9.在MOSFET的增强型模式下，为使晶体管导通，栅极电压Vg必须（）。

A.小于阈值电压VthB.等于阈值电压VthC.大于阈值电压VthD.小于零

10.半导体中，载流子的漂移电流密度与（）成正比。

A.载流子浓度B.载流子迁移率C.电场强度D.温度

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在题中的横线上。）

1.晶体的三维周期性排列可以用_________和_________来描述。

2.根据有效质量的不同，电子能谷可以分为_________谷和_________谷。

3.热平衡时，半导体中电子气体的分布遵循_________分布（或_________分布），空穴气体的分布遵循_________分布（或_________分布）。

4.PN结的内建电场是由_________区和_________区的载流子扩散及复合导致的电荷分离而产生的。

5.MOS结构的栅极是_________层，它将电场作用于半导体表面。

6.当温度升高时，半导体的本征载流子浓度_________（填“增加”、“减小”或“不变”）。

7.能带理论认为，晶体中电子的波函数在相邻原子间发生_________，导致原子间的电子状态出现_________。

8.半导体中的杂质能级会改变半导体的_________和_________。

9.耗尽层是PN结中_________被耗尽，呈现_________特性的区域。

10.MOSFET的输出特性曲线描述了漏极电流Id随_________和_________的变化关系。

三、简答题（每小题5分，共20分。）

1.简述声子（晶格振动量子）在半导体物理中的作用。

2.解释什么是能带？为什么半导体存在能带结构而不是像孤立原子那样只有分立的能级？

3.简述半导体中电子的漂移电流和扩散电流的区别。

4.说明什么是MOS结构的“栅极电场”？它如何影响半导体表面的能带结构？

四、计算题（每小题10分，共30分。）

1.已知某半导体材料的禁带宽度Eg=1.1eV，电子在导带底的有效质量me*=0.1m0（m0为电子静止质量），价带顶的有效质量mv*=0.6m0。计算该材料的直接带隙或间接带隙（根据有效质量判断），并估算电子从导带底跃迁到价带顶所需的动量变化量（令价带顶处动量为零）。（普朗克常数h=6.63x10-34J·s，电子电荷e=1.6x10-19C，hbar=h/2π）。

2.一个掺杂浓度为NA=1x10^21cm^-3的P型硅（Si）样品，假设空穴是主要的载流子，空穴的迁移率μp=450cm^2/V·s。室温下（T=300K），计算该样品的平衡空穴浓度np（Si的本征载流子浓度ni=1.5x10^10cm^-3）。假设该样品与一个掺浓度为ND=1x10^20cm^-3的N型硅形成PN结，忽略界面效应，定性画出热平衡时该PN结的能带图，并标明内建电场Ei、耗尽层宽度W以及费米能级EF（设费米能级在热平衡时位于禁带中央）。

3.对于一个增强型n型MOSFET，其SiO2氧化层厚度tox=1