GB/T 46789-2025半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

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GBT467892025IEC624172010

半导体器件金属氧化物半导体场效应

晶体管()的可动离子试验

MOSFETs

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SemiconductordevicesMobileiontestsformetal-oxidesemiconductor

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fieldeffecttransistorsMOSFETs

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IEC624172010IDT

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT467892025IEC624172010

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4符号和缩略语……………1

5概述………………………1

6测试设备…………………2

7测试结构…………………2

8样本大小…………………2

9条件………………………2

10程序………………………2

10.1偏压温度应力………………………2

10.2电压扫描……………3

11判据………………………3

12报告………………………4

Ⅰ

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