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- 2026-01-22 发布于浙江
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700C退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理
平云霞王曼乐孟骁然侯春雷俞文杰薛忠营魏星张苗狄增峰张波
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MechanismofNiSiGeepitaxialgrowthbyAlinterlayermediationat700C
PingYun-XiaWangMan-LeMengXiao-RanHouChun-LeiYuWen-JieXueZhong-YingWei
XingZhangMiaoDiZeng-FengZhangBo
引用信息Citation:ActaPhysicaSinica,,036801(2016)DOI:10.7498/aps.65.036801
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当期内容Viewtableofcontents:/CN/Y2016/V65/I3
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