镉钛基纳米复合半导体材料的制备工艺与光催化性能优化研究.docx

镉钛基纳米复合半导体材料的制备工艺与光催化性能优化研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

1.1.1研究背景

半导体材料作为现代科技领域的关键材料之一，其发展历程见证了人类科技的不断进步。从20世纪中叶第一代半导体材料硅（Si）和锗（Ge）的广泛应用，开启了集成电路的新时代，使得电子产品逐渐走向小型化和高性能化；到20世纪70-90年代，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料兴起，凭借其优异的高频、高速和光电性能，在光通信、卫星通信、移动通信以及全球定位系统（GPS）等领域发挥了重要作用；再到21世纪，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带的