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相变存储器工艺稳定性与失效机理的深度剖析：提升存储可靠性的关键研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术日新月异的当下，大数据、人工智能、物联网等新兴技术如雨后春笋般蓬勃发展，数据量呈现出爆发式增长态势。国际数据公司（IDC）的研究报告显示，全球每年产生的数据量正以惊人的速度递增，从2010年的1.2ZB预计增长到2025年的175ZB。如此海量的数据对存储技术提出了前所未有的挑战与要求，不仅需要更大的存储容量，还对存储设备的读写速度、能耗、可靠性以及成本等方面有着严苛的标准。

传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash），在应对当今存储需求时逐