2-5信号放大电路的分析与制作-晶体管的主要参数.pptxVIP

模拟电子技术与实践;

模拟电子技术与实践

项目二信号放大电路的分析与制作

2.4晶体管的主要参数

主讲人：电子信息工程技术专业

翁芸;

情境引入

当我们要选用晶体管时，要考虑哪些主要参数呢?;

学习目标

了解三极管电流放大系数、极间反向电流等特性参数

掌握三极管极限参数的应用;

1.三极管电流放大系数

·共发射极电流放大系数

β—直流电流放大系数;

1.电流放大系数

·共基极电流放大系数

a1一般在0.98以上。;

2.极间反向饱和电流

·CB极间反向饱和电流ICBO,

室温下，小功率硅管的IcBo小于1微安，锗管约为几微安到几十微安。

·CE极间反向饱和电流IcEo°

IcEo=(1+β)IcBO

CEo、cBo均随温度的上升而增大，所以其大小反映了晶体管的温度稳定性，其值越小，受温度的影响越小，晶体管的工作越稳定。;

3.极限参数

·Icm—集电极最大允许电流，超过时β值明显降低。

·Pcm—集电极最大允许功率损耗

Pc=ic×UCE;

3.极限参数Icm

安

·U(BR)CEo—基极开路时C、E极间反向击穿电压。

作

U(BR)CBo—C发射极开路时，C、B极间反向击穿电压↓

ICEO

·U(BR)EBo—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。;

三极管的主要参数学习指南预备知识任务实施能力拓展项目总结

试分析三极管的特性参数：已知：IcM

=20mA,PCM=100mW,UBR)CEO=20V,

求解：

当UcE=10V时，Ic10mA

当UcE=1V,则Ic20mA

当Ic=2mA,则UCE20V;

三极管电流放大系数、极间反向电流及极限参数的应用

晶体管工作时必须保证能工作在安全区内，并留有一定的裕量。;

谢谢聆听!

主讲人：翁芸