SiC MEMS压力传感器及其处理电路：原理、设计与应用的深度剖析.docx

SiCMEMS压力传感器及其处理电路：原理、设计与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，众多领域对高精度、高可靠性的压力测量提出了严苛要求，尤其是在高温、高压、强辐射等极端特殊环境下，传统的压力传感器已难以满足需求。SiCMEMS压力传感器作为一种新型传感器，凭借碳化硅（SiC）材料卓越的物理化学性能与微机电系统（MEMS）技术的独特优势，成为解决特殊环境测量难题的关键。

SiC材料作为第三代宽带隙半导体材料的杰出代表，拥有诸多优异特性。其禁带宽度是硅材料的3倍以上，这赋予了SiC器件更高的击穿电场强度和热稳定性，使其能在高温环境下保持稳定