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半导体物理学第三章习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填入括号内。）

1.下列哪个物理量不是描述晶体周期性势场中电子能级展宽形成能带的原因？

(A)原子核的库仑场

(B)周期性边界条件

(C)电子间的库仑相互作用

(D)晶格振动（声子）

2.在能带理论中，布里渊区的边界代表电子波矢k的什么值？

(A)最大值

(B)最小值

(C)零

(D)以上都不是，它只是k空间的一个周期性边界

3.对于一个具有满带电子的导体，其能带结构特点是：

(A)满带与满带重叠

(B)满带与满带之间存在较宽的禁带

(C)满带与满带之间存在很窄的禁带或无禁带

(D)导带是空的

4.半导体材料的导电性主要依赖于：

(A)晶格振动

(B)自由电子气体

(C)价带顶附近电子的激发

(D)离子键合

5.有效质量描述了电子在晶体周期场中的什么性质？

(A)静态质量

(B)动量随位置的变化率

(C)能量随波矢的变化率

(D)在电场中的加速能力

6.下列哪种材料通常被认为是绝缘体？

(A)具有很宽禁带的半导体

(B)具有较窄禁带的半导体

(C)禁带宽度为零的材料

(D)导带与价带重叠的材料

7.在能带结构中，能谷是指：

(A)能带中能量最高的点

(B)能带中能量最低的点

(C)导带底或价带顶

(D)布里渊区中心

8.紧束缚模型主要用于：

(A)精确计算金属的能带结构

(B)估算简单晶体（如二维方格子）的能带形状

(C)解释半导体中的杂质能级

(D)分析能带宽度随温度的变化

9.对于直接带隙半导体，光吸收发生在：

(A)价带顶和导带底之间，且电子动量守恒

(B)价带顶和导带底之间，但电子动量不守恒

(C)导带内部

(D)价带内部

10.半导体中载流子的有效质量通常：

(A)大于其静止质量

(B)小于其静止质量

(C)等于其静止质量

(D)可能为负值

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填入横线上。）

1.晶体周期性势场导致原子能级发生______，形成能带。

2.能带理论中，电子填充能带遵循______和______原则。

3.描述电子在晶体中运动惯性的物理量是______。

4.能带理论中，禁带宽度是指______之间的能量差。

5.在能带结构图中，波矢k的最大值位于______。

6.简单立方晶格的布里渊区形状类似于______。

7.价带被电子填满，而导带为空的材料，通常表现为______体。

8.半导体中，电子从价带激发到导带需要克服______。

9.有效质量m*的表达式为m*=?2/(d2E/dk2)，其中E是______，k是______。

10.紧束缚模型中，紧束缚参数V?表示孤立原子能级的______。

三、简答题（每题5分，共15分。请简要回答下列问题。）

1.简述能带是如何形成的。

2.什么是有效质量？它为什么需要引入？

3.解释n型半导体和p型半导体的能带结构有何不同（定性描述）。

四、计算题（共45分。请列出必要的公式、代入数值和计算过程。）

1.（10分）已知某半导体材料的价带顶能量为E_v=1.1eV，导带底能量为E_c=3.2eV。计算该半导体的禁带宽度E_g。若电子的有效质量m*=0.1m_e（m_e为电子静止质量，h=6.63x10?3?J·s，c=3x10?m/s），估算该电子在导带底附近的有效速率。

2.（15分）考虑一维无限深势阱，势阱宽度为a。电子在其中的能量本征值为E_n=n2π2?2/(2ma2)，其中n=1,2,3,...。假设晶体中原子间距为a，试用紧束缚模型的思想，定性描述该一维晶格中电子的能带结构（能量E随波矢k=2πx/a的变化关系），并指出第一布里渊区的范围。

3.（20分）一个直接带隙半导体，其禁带宽度E_g=1.5eV。费米能级位于禁带中点（假设在0K时）。当温度T=300K时，费米能级向上移动了0.1eV（即费米能级位于禁带中心上方0.1eV处）。试估算此时导带中的电子浓度n（电