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探秘GaN基电子器件：漏电机理与频率散射特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今飞速发展的电子领域，随着5G通信、新能源汽车、数据中心等新兴技术的崛起，对电子器件的性能提出了前所未有的挑战。传统的硅基电子器件由于材料特性的限制，在高频、高压、大功率应用场景下逐渐难以满足需求。氮化镓（GaN）基电子器件作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其独特的材料优势，成为了推动电子技术突破的关键力量。

GaN材料具有宽禁带宽度（约3.4eV），这使得GaN基电子器件能够在更高的电压下工作，同时具备更高的击穿电场强度，理论上可实现更高的功率密度。高电子迁移率和饱和速度赋予了GaN基器