CN112239860B 在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法 （三星电子株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112239860B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202010679035.8

(22)申请日2020.07.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112239860A

(43)申请公布日2021.01.19

(30)优先权数据

10-2019-00858212019.07.16KR

(73)专利权人三星电子株式会社地址韩国京畿道

专利权人成均馆大学校产学协力团

(72)发明人卞卿激金亨燮朴台镇金会俊申铉振安元植M.林赵连柱

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师张波

(51)Int.CI.

C23C16/455(2006.01)

C23C16/30(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

(56)对比文件

KR10-1523172B1,2015.05.26

US2008/0237860A1,2008.10.02审查员修雪英

权利要求书3页说明书9页附图5页

(54)发明名称

提供衬底使用金属有机材料处理衬底的表面

提供衬底

使用金属有机材料处理衬底的表面

在衬底的表面上沉积过渡金属二硫族化物薄膜

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(57)摘要

CN112239860B一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可

CN112239860B

CN112239860B权利要求书1/3页

2

1.一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法，所述方法包括：

用金属有机材料处理所述衬底；以及

在所述衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在所述衬底上合成过渡金属二硫族化物，所述过渡金属前体包括过渡金属元素，所述硫族前体包括硫族元素，

其中：

处理所述衬底在所述衬底的表面上提供金属，

处理所述衬底不使用与所述金属有机材料化学反应的反应气体进行并且包括对所述衬底附近进行热处理以分解所述金属有机材料，其中对所述衬底附近进行热处理在300℃至500℃下执行，

所述金属有机材料包括用于诱导所述过渡金属前体和所述硫族前体吸附到所述衬底上的金属，

所述金属有机材料包括A1、Ti和Ni中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述金属有机材料包括三甲基铝、三(脱甲基酰氨基)铝、三异丁基铝、钛异丙氧化物、四(二甲基酰氨基)钛、双(环戊二烯基)镍和双(乙基环戊二烯基)镍中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

所述过渡金属二硫族化物由下面的式1表示：

M1-aM’X2(1-b)X26………式1

其中，在式1中，

M和M’是彼此不同的过渡金属元素，

X和X’是彼此不同的硫族元素，

0≤a1,并且

0≤b1。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

所述过渡金属元素包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Tc、Re、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Zn和Sn中的至少一种，以及

所述硫族元素包括S、Se和Te中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中

所述过渡金属前体包括过渡金属卤化物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中

所述过渡金属卤化物包括MoF?、MoF?、MoF?、Mo?F?0、MoCl?、MoCl?、MoCl?、MoCl?、MoCl?、MoBr?、MoBr?、MoI?、MoI?、MoI?、WF?、WF?、[WF?]4、WCl?、WCl?、WCl?、[WCl?]2、[W?C12]Cl?、WBr?、WBr?、WBr?、WBr?、W?Br14、WI?、WI?、WI?、VF?、VF?、VF?、VF?、VCl?、VCl?、VC1?、VBr?、VBr?、VBr4、VI?、VI?、VI?、NbCl?、NbCl?、NbCl?、NbBr?、NbBr?、NbI?、NbI?、NbI?、TaF?、[TaF?]4、TaCl?、TaCl?、TaCl?、TaBr?、TaBr?、TaBr?、TaI?、TaI?、TiF?、TiF?、TiF?、TiCl?、TiCl?、TiCl?、TiBr?、TiBr4HfC1?、HfBr?、HfBr?、HfI?、HfI?、ZrF?、ZrCl?、Z