CN112186078B 制造发光器件封装件的方法及使用其制造显示面板的方法 （三星电子株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112186078B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202010627430.1

(22)申请日2020.07.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112186078A

(43)申请公布日2021.01.05

(30)优先权数据

10-2019-00815992019.07.05KR

(73)专利权人三星电子株式会社地址韩国京畿道

(72)发明人司空坦金周贤

(51)Int.CI.

H10H20/01(2025.01)

H10H20/851(2025.01)

H10H20/854(2025.01)H10H29/30(2025.01)

(56)对比文件

US2018166424A1,2018.06.14KR20180059249A,2018.06.04审查员汤贞

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理

有限公司11112专利代理师赵南张青

权利要求书3页说明书9页附图19页

(54)发明名称

制造发光器件封装件的方法及使用其制造显示面板的方法

(57)摘要

CN112186078B一种制造发光器件封装件的方法以及制造显示面板的方法，该制造发光器件封装件的方法包括：在衬底上形成半导体叠层，使得该半导体叠层具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；通过经由在衬底的第一表面的方向上蚀刻穿过半导体叠层来在衬底中形成具有预定深度的沟槽，将半导体叠层分离为彼此分离的半导体光发射器；通过施用柔性绝缘材料以覆盖半导体光发射器来形成填充沟槽并使半导体光发射器彼此绝缘的模制件；通过去除衬底来形成通

CN112186078B

SP3

SP3

LEp9P190R

150N

100

L

200

170P

180

SP2

QD2LED2

三

CN112186078B权利要求书1/3页

2

1.一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：

在具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底的第一表面上形成半导体叠层，使得所述半导体叠层具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

通过在所述衬底的第一表面的方向上蚀刻贯穿所述半导体叠层而在所述衬底中形成具有预定深度的沟槽，来将所述半导体叠层分离为彼此分离的多个半导体光发射器；

通过涂覆柔性绝缘材料以覆盖所述多个半导体光发射器来形成填充所述沟槽并使所述多个半导体光发射器彼此绝缘的模制件；

通过去除所述衬底来形成通过所述模制件彼此分离并分别覆盖到所述多个半导体光发射器上的多个凹槽；以及

在所述多个凹槽中形成多个波长转换器，

其中，形成所述模制件包括：

形成填充所述沟槽的第一模制件，所述第一模制件由包括聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯和白色环氧模塑化合物的材料形成，并且作为分离所述多个波长转换器的分隔壁结构；以及

形成覆盖所述第一模制件的第二模制件，所述第二模制件由包括聚酰亚胺的材料形成。

2.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中，所述柔性绝缘材料是模量低于所述半导体叠层的模量的材料。

3.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中，所述多个半导体光发射器和所述多个波长转换器分别彼此对应以形成多个子像素，并且包括所述多个子像素的一个像素具有每英寸8000像素的像素密度。

4.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中，形成所述半导体叠层的步骤还包括：在所述第二导电半导体层上顺序地堆叠氧化铟锡层和绝缘层。

5.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中：

所述第二模制件由熔点高于所述第一模制件的熔点的材料形成。

6.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，还包括步骤：

在将所述半导体叠层分离为多个半导体光发射器之前，在所述第二导电半导体层上形成氧化铟锡层；以及

在所述氧化铟锡层上形成绝缘层。

7.一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：

通过在衬底上堆叠第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层并蚀刻所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层以暴露所述衬底的区域，来形成彼此分离的多个半导体光发射器；

形成包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯或环氧模塑化合物的材料的模制件，使得所述模制件覆盖所述多个半导体光发射器和所述衬底的暴露区域；

通过去除所述衬底来在所述多个半导体