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石墨烯与氧化锌薄膜晶体管的制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，随着科技的飞速发展，对电子器件性能的要求日益提高。传统的硅基材料在面对不断提升的性能需求时，逐渐显露出一些局限性，如电子迁移率有限、功耗较高等。这促使科研人员不断探索新型材料和器件结构，以实现电子器件性能的突破。

石墨烯作为一种由碳原子构成的二维材料，自2004年被成功分离以来，因其独特的物理性质而备受瞩目。它具有极高的载流子迁移率，理论值可达200,000cm2/Vs，这使得电子在石墨烯中能够快速传输，为实现高速电子器件提供了可能；同时，石墨烯还拥有出色的电学性能、良好的化学稳定性以及高