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电子材料复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、填空题（每空2分，共20分）

1.晶体中最基本的重复结构单元称为________，晶体学中用来描述晶体结构的基本对称元素有________、________、________、________、________。

2.对于N型半导体，其主要载流子是________，决定其导电类型的杂质元素是________（以Si为例）。

3.根据能带理论，满带和空带之间不存在电子态的能带称为________。

4.能带宽度与晶体________有关，通常随着晶格常数的增大而________（增大/减小/不变）。

5.金属导体具有金属光泽、导电性和导热性良好，其主要原因是存在________。

6.绝缘体的禁带宽度通常大于________eV，而半导体的禁带宽度通常在________eV范围内。

7.离子晶体主要的导电机理是________。

8.压电材料是指一类受到________时会产生________现象，或者受到________时会产生________现象的材料。

9.光电子发射效应分为________发射和________发射两种主要类型。

10.磁性材料按其磁化特性可分为________、________和________。

二、选择题（每题3分，共30分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.下列哪个不是晶体学基本对称元素？（）

A.平面镜

B.螺旋轴

C.对称中心

D.球对称中心

2.在金属键中，电子被看作是________？

A.定域在原子核周围

B.均匀分布在整个晶体中

C.属于某个特定原子

D.只在相邻原子间移动

3.当温度升高时，半导体的电导率将________？

A.不变

B.减小

C.增大

D.先增大后减小

4.纯净的锗（Ge）是________？

A.n型半导体

B.p型半导体

C.绝缘体

D.金属导体

5.晶体缺陷中，会降低材料力学性能的是________？

A.点缺陷（杂质原子）

B.位错

C.晶界

D.堆垛层错

6.下列哪种材料属于间接带隙半导体？（）

A.GaAs

B.InP

C.Si

D.GaN

7.电介质材料的介电常数越大，通常表示其________？

A.存在更多自由电荷

B.储存电荷的能力越强

C.导电能力越强

D.电阻率越小

8.具有铁电性的材料一定具有________？

A.金属光泽

B.压电效应

C.磁性

D.半导体特性

9.硅（Si）中，掺入五价元素磷（P）主要目的是________？

A.提高其熔点

B.增强其导热性

C.制成n型半导体

D.提高其化学稳定性

10.下列哪种效应不属于半导体光电效应？（）

A.光电导效应

B.光生伏特效应

C.光电子发射效应

D.电阻应变效应

三、名词解释（每题4分，共20分）

1.能带重叠

2.掺杂

3.介电常数

4.压电效应

5.磁畴

四、简答题（每题6分，共18分）

1.简述晶体缺陷对材料性能可能产生的影响（列举两种并说明）。

2.解释什么是n型半导体和p型半导体，并简述其导电机制的区别。

3.简述电介质材料在电场中为什么会发生极化。

五、计算题（每题7分，共14分）

1.已知硅（Si）的禁带宽度为1.12eV。计算一个电子从价带顶跃迁到导带底需要吸收的光子的最大波长是多少（用米和纳米表示）？（普朗克常数h=6.626x10^-34J·s，光速c=3.0x10^8m/s，电子电荷e=1.602x10^-19C）

2.纯硅（Si）在300K时的本征载流子浓度n_i=1.45x10^10cm^-3。若在硅中掺入浓度为1x10^21cm^-3的磷（P）原子（磷为五价元素），计算在300K时，该n型硅的电子浓度n和空穴浓度p大约是多少？（假设有效质量近似成立，本征近似不再适用）

六、论述题（10分）

结合能带理论，简述半导体材料导电性与温度、杂