原创力文档FS01MR12A8MA2B
最终数据手册
™
英飞凌基于SiCMOSFET的HybridPACKDriveG2模块FS01MR12A8MA2B
特性
•电气特性
-VDSS=1200V
-IDN=500A
-新型半导体材料—碳化硅
-低RDS,on
-低开关损耗
-低Qg和Crss
-低杂散电感设计
-Tvj,op=175°C
-短时延长工
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