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探索Ⅳ-Ⅵ族半导体外延生长机制与特性的前沿研究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，广泛应用于集成电路、光电子器件、传感器等领域，推动着电子设备不断向小型化、高性能化和智能化方向发展。在众多半导体材料中，Ⅳ-Ⅵ族半导体凭借其独特的物理性质和潜在应用价值，逐渐成为半导体领域的研究热点之一。

Ⅳ-Ⅵ族半导体是由元素周期表中Ⅳ族元素（如Ge、Si、Sn等）和Ⅵ族元素（如S、Se、Te等）化合而成的二元化合物半导体材料，是一类窄带隙半导体材料。以硒化铅（PbSe）、碲化铅（PbTe）、硫化锗（GeS）、硒化锗（GeSe）、硫化锡（SnS?）等为代表