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集成电路制造技术习题解答试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的代表字母填写在题后的括号内。每题2分，共20分）

1.在集成电路制造中，用于定义电路图案并传递到光的材料通常是？

A.晶圆

B.掩模版

C.蚀刻胶

D.硅dioxide

2.以下哪种工艺主要利用化学反应在材料表面生成薄膜？

A.光刻

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.真空蒸发

D.离子注入

3.离子注入过程中，用于控制注入离子束能量的部件是？

A.靶材

B.加速电极

C.聚焦磁铁

D.排气系统

4.在硅片表面形成均匀薄层二氧化硅（SiO2）的常用热氧化方法称为？

A.CVD

B.PVD

C.热氧化

D.干法蚀刻

5.以下哪种缺陷通常由颗粒附着在晶圆表面并在后续工艺中造成损伤？

A.短路

B.划伤

C.颗粒污染

D.膜厚不均

6.用于测量半导体材料薄层厚度（如SiO2）的仪器是？

A.四探针电阻测试仪

B.椭偏仪

C.扫描电子显微镜（SEM）

D.能量色散X射线光谱仪（EDX）

7.退火的主要目的是什么？

A.增加晶圆表面粗糙度

B.使注入的离子停止移动

C.消除光刻胶残留物

D.熔化晶圆表面薄膜

8.在CMOS器件制造中，N型掺杂通常用于形成？

A.栅极

B.源极和漏极

C.阱区

D.衬底

9.光刻工艺中，分辨率指的是？

A.光刻机最大能制造的线宽

B.掩模版与晶圆之间的距离

C.照射到晶圆的能量强度

D.光刻胶的感光速度

10.集成电路制造过程中，良率指的是？

A.单个工艺步骤的合格率

B.成功通过所有工艺步骤的晶圆占总晶圆的百分比

C.晶圆的尺寸大小

D.硅片的纯度

二、填空题（请将正确答案填写在横线上。每空2分，共20分）

1.集成电路制造通常在超净环境中进行，以防止__________污染。

2.蚀刻工艺可以分为湿法蚀刻和__________蚀刻两大类。

3.光刻胶根据其溶解性分为正胶和__________胶。

4.离子注入后的退火过程称为__________退火。

5.衬底材料在集成电路制造中不仅提供机械支撑，也作为__________的一部分。

6.薄膜沉积时，为了获得均匀的薄膜厚度，晶圆通常放置在__________中心。

7.MOSFET晶体管的导电通道是由掺杂形成的N型或P型__________区。

8.工艺窗口是指保证器件性能符合要求的__________和工艺条件的组合范围。

9.清洗工艺在集成电路制造中贯穿始终，其目的是去除__________和污染物。

10.随着技术节点不断缩小，集成电路制造对__________和良率的要求越来越高。

三、简答题（请简要回答下列问题。每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本步骤。

2.解释什么是干法蚀刻，并列举两种常见的干法蚀刻类型。

3.离子注入过程中，什么是注入能量和注入速率？它们分别由哪个部件控制？

4.简述热氧化工艺的基本原理及其在IC制造中的作用。

四、计算题（请列出计算步骤并给出最终结果。每题10分，共20分）

1.某PECVD设备在特定条件下沉积硅nitride薄膜，每小时晶圆中心处的膜厚增长率为0.3微米。假设开始沉积时晶圆上没有此薄膜，计算经过5小时沉积后，晶圆边缘（假设边缘处速率是中心处的一半）的膜厚是多少微米？

2.离子注入实验中，使用能量为150keV的Ar+离子轰击硅晶圆。已知硅的原子量为28，硅的原子密度为约5×1022atoms/cm3。假设注入停止后立即进行退火，所有离子都停止在硅体内。计算离子的平均射程（R）大约是多少微米？（提示：可使用简化的作图法或经验公式，如R≈0.3E0.5，其中E为能量单位MeV）

五、论述题（请结合所学知识，详细阐述下列问题。共20分）

1.分析离子注入工艺中，注入能量和注入角度对最终形成的掺杂区特性（如浓度分布、结深）可能产生的影响，并解释其原因。

试卷答案

一、选择题

1.B

解析：掩模版是光刻工艺中用于将电路图案转移到光的载体。

2.B

解析：PECVD利用等离子体化学反应在衬底表面沉积薄膜。

3.B

解析：加速电极施加高