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2026秋招：工艺整合笔试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不是常见的光刻技术？

A.紫外光刻

B.电子束光刻

C.微波光刻

D.极紫外光刻

2.浅沟槽隔离（STI）工艺主要用于？

A.降低电流损耗

B.隔离不同器件

C.提高载流子迁移率

D.增加芯片散热

3.化学机械抛光（CMP）的目的是？

A.去除光刻胶

B.使表面平整

C.形成氧化层

D.扩散杂质

4.工艺整合中，最先进行的工艺通常是？

A.光刻

B.离子注入

C.氧化

D.金属化

5.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氩气

D.氯气

6.多晶硅在集成电路中常作为？

A.绝缘层

B.导电层

C.散热层

D.保护层

7.氧化工艺生成的二氧化硅主要作用是？

A.增加芯片硬度

B.作为绝缘介质

C.提升导电性

D.降低功耗

8.离子注入过程中，控制注入深度的主要参数是？

A.注入能量

B.注入时间

C.注入剂量

D.离子种类

9.光刻工艺的关键步骤顺序是？

A.涂胶-曝光-显影-刻蚀

B.曝光-涂胶-显影-刻蚀

C.涂胶-显影-曝光-刻蚀

D.刻蚀-涂胶-曝光-显影

10.以下哪种薄膜沉积技术精度较高？

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.磁控溅射镀膜

D.蒸发镀膜

答案：

1.C

2.B

3.B

4.C

5.D

6.B

7.B

8.A

9.A

10.B

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中涉及的关键工艺有？

A.光刻

B.刻蚀

C.薄膜沉积

D.离子注入

2.光刻工艺的主要组成部分包括？

A.光刻胶

B.掩膜版

C.光刻机

D.显影液

3.以下属于干法刻蚀优点的是？

A.刻蚀精度高

B.均匀性好

C.对基板损伤小

D.设备成本低

4.影响化学机械抛光效果的因素有？

A.压力

B.相对速度

C.抛光垫性质

D.抛光液成分

5.离子注入的优点有？

A.精确控制杂质分布

B.低温工艺

C.可注入多种离子

D.设备简单

6.用于半导体制造的氧化工艺有？

A.干氧化

B.湿氧化

C.化学氧化

D.等离子体氧化

7.薄膜沉积方法中的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）优点是？

A.沉积温度低

B.沉积速率高

C.薄膜质量高

D.可大面积沉积

8.工艺整合工程师需要考虑的因素有？

A.成本

B.工艺兼容性

C.产品良率

D.生产效率

9.常见的光刻胶分类有？

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.中性光刻胶

D.酸性光刻胶

10.半导体制造中，清洗工艺的作用是？

A.去除杂质

B.去除光刻胶

C.保持表面清洁

D.改善表面粗糙度

答案：

1.ABCD

2.ABCD

3.ABC

4.ABCD

5.ABC

6.AB

7.ABD

8.ABCD

9.AB

10.ABC

三、判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺只能用于集成电路制造。（）

2.化学机械抛光过程中，抛光液的作用只是润滑。（）

3.离子注入后不需要进行退火处理。（）

4.氧化工艺可以提高硅表面的耐腐蚀性。（）

5.等离子体刻蚀是一种湿法刻蚀技术。（）

6.光刻胶的感光度越高，曝光时间越短。（）

7.浅沟槽隔离（STI）工艺可以完全消除闩锁效应。（）

8.多晶硅的导电性比单晶硅好。（）

9.工艺整合的目标是将各个单元工艺有机结合，实现芯片性能优化。（）

10.薄膜沉积过程中，沉积速率越大越好。（）

答案：

1.×

2.×

3.×

4.√

5.×

6.√

7.×

8.×

9.√

10.×

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

利用光刻机将掩膜版上的图形通过曝光转移到涂有光刻胶的硅片上，光刻胶经曝光发生化学反应，显影后留下所需图形，后续可进行刻蚀等工艺。

2.化学机械抛光（CMP）在工艺整合中的重要性体现在哪些方面？

CMP可使芯片表面全局平整，保证后续光刻等工艺精度，减少元件高度差对性能的影响，提高芯片集成度和可靠性，是多层布线工艺中必不可少的环节。

3.离子注入为何要进行退火处理？

离子注入会损伤硅晶格。退火能修复晶格损伤，使注入离子激活，恢复硅的电学性能；还可消除注入产生的缺陷，确保杂质正确分布，提高器件性能和稳定性。

4.氧化工艺生成的二氧化硅有哪些应用场景？

可作绝缘介质，隔离不同器件或布线层；作为栅极氧化物，控制