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2026秋招：工艺整合面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种是常见光刻气体？

A.氢气

B.氮气

C.氩气

D.氪气

2.氧化工艺中干氧氧化特点是？

A.速度快

B.质量好

C.温高低

D.浓度低

3.在化学机械抛光中，起主要作用的是？

A.压力

B.磨料

C.温度

D.流量

4.注入离子能量决定其？

A.浓度

B.种类

C.射程

D.剂量

5.哪种清洗方法主要去除有机物？

A.RCA1号

B.RCA2号

C.臭氧清洗

D.超声清洗

6.薄膜沉积中CVD是指？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.电化学沉积

D.离子束沉积

7.光刻工艺中曝光后烘焙目的是？

A.去胶

B.使光刻胶坚膜

C.促进化学反应

D.增强粘附性

8.扩散工艺中杂质扩散机制不包括？

A.间隙扩散

B.替位扩散

C.表面扩散

D.体相扩散

9.衡量芯片制造精度的参数是？

A.芯片面积

B.晶体管数量

C.特征尺寸

D.工作频率

10.刻蚀工艺按原理可分为？

A.干法和湿法

B.化学和物理

C.高温和低温

D.快速和慢速

多项选择题（每题2分，共20分）

1.工艺整合需考虑因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.良率

D.生产效率

2.光刻工艺关键步骤有？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.蚀刻

3.薄膜沉积方法有？

A.PVD

B.CVD

C.ALD

D.MBE

4.离子注入优点包括？

A.精确控制剂量

B.低温工艺

C.杂质分布均匀

D.杂质纯度高

5.化学机械抛光作用有？

A.表面平坦化

B.去除表面损伤

C.提高表面质量

D.调整薄膜厚度

6.氧化工艺目的有？

A.形成绝缘层

B.保护衬底

C.光刻掩膜

D.改善表面性质

7.工艺整合优化目标有？

A.提高芯片性能

B.降低功耗

C.缩短生产周期

D.提升可靠性

8.清洗工艺重要性体现在？

A.去除污染物

B.提高器件性能

C.增加产量

D.延长设备寿命

9.刻蚀工艺评价指标有？

A.刻蚀速率

B.刻蚀选择比

C.刻蚀均匀性

D.刻蚀粗糙度

10.扩散工艺影响因素有？

A.温度

B.时间

C.杂质浓度

D.气氛

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中光刻胶厚度对曝光效果无影响。（）

2.离子注入后不需要退火处理。（）

3.干法刻蚀比湿法刻蚀更适合精细图形加工。（）

4.氧化层厚度只与氧化时间有关。（）

5.化学机械抛光中压力越大效果越好。（）

6.扩散工艺可精确控制杂质分布。（）

7.清洗工艺只是去除表面灰尘。（）

8.工艺整合只需关注核心工艺。（）

9.薄膜沉积时沉积速率与温度无关。（）

10.光刻分辨率决定芯片特征尺寸。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述工艺整合含义。

将芯片制造各单一工艺有机结合，综合考虑兼容性、成本、良率等因素，优化工艺流程，最终实现芯片性能、可靠性等目标。

2.光刻工艺主要作用是什么？

光刻工艺用于在半导体晶圆表面的光刻胶上形成精确的图形，为后续刻蚀、离子注入等工艺提供掩膜，是芯片制造中定义器件和电路图案的关键步骤。

3.化学机械抛光在工艺整合的作用？

能使晶圆表面达到全局平坦化，去除表面损伤和多余材料，保证不同薄膜层的平整度，为后续工艺提供良好表面条件，提高芯片制造的良率和性能。

4.清洗工艺对工艺整合的意义？

清洗工艺可去除晶圆表面的颗粒、有机物、金属杂质等污染物，防止杂质影响后续工艺，提高器件性能和可靠性，保证整个工艺整合流程顺利进行。

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论工艺整合中成本与性能的平衡。

成本和性能需综合考量。可选用性价比高材料和工艺，在不牺牲关键性能下降低成本。如选择合适光刻设备和工艺参数，既保证精度又控制成本，实现两者动态平衡。

2.谈谈光刻工艺发展对工艺整合的挑战与机遇。

挑战是分辨率提升需更先进设备和材料，增加成本和难度。机遇是能实现更小尺寸芯片制造，提高性能和集成度，推动工艺整合向更高水平发展，催生新工艺和技术。

3.分析化学机械抛光工艺优化方向。

可从提高抛光效率、控制表面质量和降低成本入手。如研发新型磨料和抛光液，优化抛光参数和设备，实现精确去除材料和表面缺陷控制，减少二次污染和成本。

4.探讨工艺整合中良率提升策略。

严格控制工艺参数和环境，减少波动。加强原材料检测，保证质量。优化工艺顺序和流程，减少杂质和缺陷。建立完善监测和反馈机制，及时调整工艺，提高整体良率。

答案

单