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2026秋招：工艺整合题目及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不是常见的光刻工艺气体？

A.氩气

B.氮气

C.乙炔

D.氪气

2.氧化工艺主要目的是？

A.增加器件硬度

B.形成绝缘层

C.提高导电性

D.降低表面粗糙度

3.化学机械抛光（CMP）用于？

A.去除杂质

B.表面平坦化

C.增加膜厚

D.改变材料成分

4.离子注入工艺中，离子束的作用是？

A.加热材料

B.改变材料晶体结构

C.去除表面氧化层

D.增加材料韧性

5.以下哪种是湿法刻蚀的优点？

A.各向异性好

B.刻蚀速率快

C.设备简单

D.对图形精度控制高

6.扩散工艺是使杂质？

A.附着在材料表面

B.均匀混合在材料中

C.富集在材料表面

D.以离子形式存在于材料中

7.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.去除材料

B.沉积薄膜

C.改变材料颜色

D.提高材料磁性

8.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护衬底

B.传导电流

C.吸附杂质

D.反射光线

9.以下哪种工艺不属于薄膜沉积工艺？

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学机械抛光

C.原子层沉积（ALD）

D.化学气相沉积（CVD）

10.清洗工艺主要是为了？

A.降低材料温度

B.去除表面污染物

C.增加材料光泽

D.改变材料形状

答案：

1.C

2.B

3.B

4.B

5.C

6.B

7.B

8.A

9.B

10.B

多项选择题（每题2分，共10题）

1.常见的光刻工艺步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

2.氧化工艺可以分为？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.等离子氧化

3.化学机械抛光（CMP）涉及的因素有？

A.压力

B.转速

C.抛光液

D.抛光垫

4.离子注入工艺的特点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.可实现大面积注入

D.不会损伤材料晶格

5.湿法刻蚀的局限性包括？

A.各向同性刻蚀

B.易产生侧蚀

C.环境污染

D.设备昂贵

6.扩散工艺的影响因素有？

A.温度

B.时间

C.杂质种类

D.材料纯度

7.化学气相沉积（CVD）的优点是？

A.可沉积多种材料

B.台阶覆盖性好

C.沉积速率快

D.设备成本低

8.光刻工艺中，光刻胶的性能指标有？

A.感光度

B.分辨率

C.对比度

D.粘附性

9.薄膜沉积工艺的选择依据有？

A.薄膜材料

B.基片类型

C.薄膜性能要求

D.生产成本

10.常见的清洗工艺方法有？

A.湿法清洗

B.干洗

C.超声清洗

D.等离子清洗

答案：

1.ABC

2.AB

3.ABCD

4.ABC

5.ABC

6.ABCD

7.ABC

8.ABCD

9.ABCD

10.ABCD

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。（）

2.氧化工艺只能在高温下进行。（）

3.化学机械抛光（CMP）能完全消除表面的粗糙度。（）

4.离子注入工艺会引入晶格损伤。（）

5.湿法刻蚀可以实现精确的图形控制。（）

6.扩散工艺中，杂质扩散系数只与温度有关。（）

7.化学气相沉积（CVD）过程中不会有副产物产生。（）

8.光刻胶的感光度越高，曝光时间越短。（）

9.所有薄膜沉积工艺都需要真空环境。（）

10.清洗工艺对半导体器件性能影响不大。（）

答案：

1.×

2.×

3.×

4.√

5.×

6.×

7.×

8.√

9.×

10.×

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

利用光刻胶受特定波长光线照射后发生化学反应，通过曝光、显影等步骤将掩膜版上的图形转移到衬底表面光刻胶上，后续可借助刻蚀等实现图形转移到衬底。

2.氧化工艺在半导体制造中有哪些重要作用？

可形成绝缘氧化层，用于器件隔离、保护；增加表面硬度；改变表面化学性质，利于后续工艺。

3.化学机械抛光（CMP）的作用和原理是什么？

作用是使材料表面平坦化。原理是通过抛光液化学腐蚀和抛光垫机械摩擦共同作用，去除材料突出部分，实现表面平整。

4.离子注入工艺的优点有哪些？

能精确控制杂质浓度和注入深度；可在低温下进行，减少热影响；可实现大面积、均匀注入。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺中分辨率的影响因素及提高分辨率的方法。

影响因素：光源波长、光刻胶性能、曝光系统数值孔径等。提高方法：采用更短波长光源，优化光刻胶性能，增大数值孔径，