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压接式IGBT串联动态电压不均衡特性及优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电力电子技术的飞速发展，高压大功率应用领域对电力变换装置的性能和容量提出了更高的要求。绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为一种重要的电力电子器件，以其驱动简单、开关频率高、通态压降低、载流能力强等优点，在现代变频装置、新能源发电、轨道交通、智能电网等众多领域得到了广泛应用。然而，受限于单只IGBT的耐压水平，在高压大功率场合，常常需要将多个IGBT串联使用，以满足高电压、大功率的需求。例如在高压直流输电系统中，需要通过IGBT串联组成换流阀来实现电能的高效转换和传输。

在IGBT串联应用中，动态电压不均衡问题是影响系统可靠性和稳定性的关键因素。由于各IGBT器件本身的参数差异（如导通电阻、开关时间、结电容等）、电路寄生参数（如杂散电感、杂散电容）以及驱动信号的不一致性等原因，在IGBT开通和关断的动态过程中，各串联IGBT两端所承受的电压会出现不均衡现象。这种动态电压不均衡可能导致部分IGBT承受过高的电压，超过其额定耐压值，从而引发器件的过早失效甚至损坏，严重威胁整个系统的安全稳定运行。据相关研究统计，在IGBT串联的高压电力电子装置中，因动态电压不均衡问题导致的故障占总故障的比例高达[X]%，这不仅会造成设备的停机维护，带来巨大的经济损失，还可能影响到整个电力系统的正常供电，对社会生产和生活产生不利影响。因此，深入研究压接式IGBT串联时的动态电压不均衡特性，对于提高高压大功率电力电子系统的可靠性、稳定性和运行效率，具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国内外学者针对IGBT串联动态电压不均衡问题开展了大量的研究工作，并取得了一系列成果。在电压失衡机理方面，文献[具体文献1]通过对串联IGBT动态切换过程的深入分析，指出器件拖尾电流区间的载流子存量不同是导致电压失衡的重要原因，并提出了相应的抑制措施；文献[具体文献2]则对大功率IGBT器件串联的电压不均衡机制进行了综合分析对比研究，发现温度及外电路参数的变化也会显著改变电压不均衡度，同时强调了器件工艺和工作环境一致性对电压均衡的重要影响。

在均压控制方法研究上，目前主要包括无源均压和有源均压两大类。无源均压方法如在IGBT集射极两端并联阻容吸收电路，通过电容的充放电来抑制电压尖峰，实现动态均压，该方法结构简单，但在高电压、高频率、大电流变化率的场合，会产生较大的能量损耗；有源均压方法则主要通过控制IGBT的驱动信号来实现均压，例如基于门极驱动信号的主动延迟均压控制方法，通过调节各IGBT的开通和关断延迟时间，使各器件的电压分配趋于均匀，这种方法简单直观，但由于延迟时间与不均衡电压之间的数学关系不明确，缺乏系统的控制器设计理论和方法，均压效果的稳定性和可靠性有待进一步提高。此外，还有基于门极驱动电流均流电压均衡方法、基于功率回路耦合电感的均压方法等，但这些方法也存在各自的局限性，如耦合变压器绝缘应力高、体积大，功率侧均压需要的耦合电感极大，导致体积和回路寄生参数增加等问题。

尽管国内外在IGBT串联动态电压不均衡方面已经取得了不少研究成果，但仍存在一些不足之处和有待进一步研究的空白。一方面，现有的研究大多是基于特定的实验条件或仿真模型，对实际应用中复杂多变的工况考虑不够全面，导致研究成果的通用性和工程实用性受到一定限制；另一方面，对于压接式IGBT这种特殊封装结构的器件，其串联时的动态电压不均衡特性及均压控制方法的研究还相对较少，尤其是在考虑器件老化、温度变化等因素对动态电压不均衡特性的影响方面，还缺乏深入系统的研究。本文将针对这些问题展开深入研究，旨在揭示压接式IGBT串联时动态电压不均衡的内在规律，提出更加有效的均压控制策略，为其在高压大功率领域的可靠应用提供理论支持和技术指导。

二、压接式IGBT串联工作原理及动态电压不均衡概述

2.1压接式IGBT基本结构与工作原理

压接式IGBT作为一种先进的功率半导体器件，其基本结构与传统焊接式IGBT有所不同。从内部结构来看，压接式IGBT主要由IGBT芯片、上下电极、缓冲层、门极驱动结构以及封装外壳等部分组成。以典型的压接式IGBT模块为例，多个IGBT芯片和反并联二极管芯片（FRD）被安置在独立的塑料底座中，芯片的集电极和发射极通过上下钼片与集电极铜板和发射极铜板实现直接的压力接触连接。这种连接方式避免了传统焊接式IGBT中键合线和焊料层的使用，有效降低了寄生电感和电阻，提高了器件的电气性能和可靠性。同时，