MOCVD法制备掺杂SnO₂薄膜：工艺、特性及应用的深度剖析.docx

MOCVD法制备掺杂SnO?薄膜：工艺、特性及应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在各个领域的应用愈发广泛，其性能的优劣直接影响着相关技术的发展水平。作为宽带隙半导体材料的重要一员，二氧化锡（SnO_2）薄膜以其独特的物理化学性质，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，吸引了科研人员的广泛关注。

SnO_2是一种直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度高达3.6eV，激子束缚能为130meV，具备制备温度低、化学稳定性好等显著优势。这些优异的特性，使SnO_2薄膜成为了透明导电氧化物（TCO）薄膜、化学气敏传感器以及短波长发光材料等领域的理想选择。