200V 3.9A 70mΩN-通道UltraFET沟槽型MOSFET特性与应用.pdfVIP

FDS2672_F085N‑通道UltraFET沟槽型

tm

MOSFET

200V，3.9A，70mΩ

特性概述

◼最大rDS(on)=70mΩ在VGS=10V,ID=3.9A最大此单个N沟道MOSFET采用FairchildSemiconductor先进

rDS(on)=80mΩ在VGS=6V,ID=3.5A快速开关速度的UItraFETTrench®工艺制造，该工艺特别优化以最小化

高性能沟槽技术实现极低的rDS(on)符合AECQ101导通电阻，同时保持优异的开关性能。

应用

◼DC‑DC转换

◼符合RoHS

D

D

D

D

SO-8

G

S

S

S

引脚1

MOSFET最大额定值TA=25°Cunsotherwisenoted

符号参数额定值单位

VDS漏极到源极电压200V

VGS栅极到源极电压±20V

漏极电流‑连续（注1a）3.9

IDA

-脉冲50

E37.5mJ

AS雪崩能量（注3）

功率耗散（注1a）2.5

PDW

功率耗散（注1b）1.0

TJ,TSTG工作和温度‑55到150°C

热特性

RJC结到壳的热阻（注1）