2026—2027年全球碳化硅衬底材料在8英寸量产与大尺寸晶体生长技术上取得成本突破引爆电动汽车与能源领域对衬底厂的产能投资.pptxVIP

;目录;;从6英寸到8英寸的“惊险一跃”：为何直径扩大是降低芯片成本最关键的杠杆支点？;不止于面积：揭秘8英寸量产背后长晶、加工、外延全链条的技术协同挑战。;全球供应链重组进行时：8英寸时代将如何重塑衬底、器件与整机厂的权力格局？;成本曲线的“奇点时刻”预测：量化分析8英寸量产对2027年碳化硅MOSFET价格逼近硅基IGBT临界点的驱动作用。;;PVT法仍是主流：(2026年)深度解析物理气相传输法在生长8英寸晶体上面临的温度场、应力场与原料输运三大科学难题。;;缺陷工程的攻坚战：从微管、位错到层错，如何将晶体缺陷密度再降低一个数量级？;良率爬升曲线