超宽带隙半导体新贵：Ga₂O₃与BN薄膜的生长机制及阻变特性探秘.docx

超宽带隙半导体新贵：Ga?O?与BN薄膜的生长机制及阻变特性探秘

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代的硅（Si）和锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），每一次材料的革新都推动了电子技术的巨大进步。如今，随着科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益提高，超宽带隙半导体材料应运而生，成为了研究的热点。

超宽带隙半导体材料，通常是指禁带宽度大于4eV的半导体材料，它们具备一系列优异的物理性质。与传统半导体材料相比，超宽带隙半导体材料拥有更宽的禁带宽度，这使得它们能够在更高的温度、更高的电压