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2026年大学大四（微电子科学与工程）半导体器件设计资格考试试题及答案.docVIP

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  • 2026-01-26 发布于天津
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2026年大学大四（微电子科学与工程）半导体器件设计资格考试试题及答案.doc

    2026年大学大四（微电子科学与工程）半导体器件设计资格考试试题及答案

    （考试时间：90分钟满分100分）

    班级______姓名______

    第I卷（选择题，共40分）

    每题只有一个正确答案，请将正确答案填在括号内。(总共20题，每题2分，每题给出的选项中，只有一项符合题目要求)

    1.对于MOSFET器件，以下哪种说法是错误的？（）

    A.增强型MOSFET开启电压大于0

    B.耗尽型MOSFET开启电压小于0

    C.MOSFET的沟道长度增加，电流驱动能力增强

    D.MOSFET的阈值电压与衬底掺杂浓度有关

    2.半导体中浅能级杂质的作用主要是（）

    A.产

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