高电压技术电气工程及其自动化专业 第4版 [沈其工，方瑜 编] 2012年_401-417.docxVIP

392第二篇电力系统过电压及保护

会下降。

二、绝缘子串片数的选择

采用污耐受电压法选择线路绝缘子串的片数，应先完成下列工作。

(1)实地了解现场污秽度(SPS),SPS表征施加在绝缘子上的污秽量(盐度、污秽电导率、附盐密度)的值，确定该输电线路“地区污秽”的SPS,必要时应对污秽物成分进行化学分析。

(2)将现场污秽度校正到附盐密度(SDD)。

(3)选定绝缘子型号和长绝缘子串片数，在给定的基准污秽度下，按人工污秽试验程序，测出绝缘子串50%人工污秽工频耐受电压，并折算至单片的U50%值。

选择线路绝缘子串、绝缘子片数的步骤大致如下。

1)由线路设计闪络概率Pm确定单串绝缘子的闪络概率P?为

Pm=1-(1-P?)”(14-3-1)

式中：m为线路并联绝缘子串数。

2)由P?和变异系数ow(即标准偏差与平均值之比值)确定对应于m串绝缘子并联时的单片绝缘子污耐受电压Uw。σw可取0.07或由试验数据得出。Uw的计算式为

U′w=(1-K?ow)U50%(14-3-2)

绝缘子串污秽闪络电压按正态函数φ(K?)=1-P?分布，K?从正态分布表查得。

3)人工污秽与自然污秽等价性的修正。影响人工污秽试验结果与自然污秽等效性的因素较多，除盐密之外，还有可溶盐种类、不溶物种类、附着密度以及污秽物在绝缘子表面的不均匀分布，等等。通常，轻盐密和中等盐密时，不对试验结果作上下表面积污分布不均匀进行修正，重盐密时试验结果按上下表面盐密比修正。另外，需进行灰密修正。修正后单片绝缘子污耐受电压Uw1为

Uw?=K?K?Uw?

K?=1.0(NSDD)-0.09

Kb=1-Aln(T/B)

(14-3-3)

(14-3-4)

(14-3-5)

式中：K2为修正至1.0灰密下的等值灰密校正系数；NSDD为灰密，mg/cm2;K,为绝缘子上下表面污秽不均匀分布修正系数；T/B为绝缘子上表面盐密T对下表面盐密B之比；A为常数，对双层伞、三层伞型绝缘子，取0.17。

(4)不同绝缘子串型的修正。修正后作为选择绝缘子串片数的单片绝缘子污耐受电压Uw为

Uw=K?Uw?(14-3-6)

式中：K?为绝缘子串型修正系数，单悬垂串K?=1.0;单V型串K?=1.05、双悬垂串K?=0.94。

(5)确定污秽设计目标电压值Uphw,计算式为

Uphw=K?Uphm(14-3-7)

式中：Up?m为线路最高运行相电压；K?为线路重要性修正系数，一般线路取1.1～1.3,重要线路取1.6、核电站出线取√3。

(6)计算线路绝缘子串片数n,其计算式为

n=Uphw/Uw(14-3-8)

(7)按不同性质的作用电压校核所选绝缘子片数。绝缘子串片数主要满足承受长期工作

第十四章交流特高压电网过电压防护及绝缘配合393

电压作用的要求。操作过电压和雷电过电压，不是选择绝缘子串片数的决定条件，仅是校验的条件。

海拔1000m以下地区1000kV输电线路，对应于不同污秽等级，按污耐压法确定的双伞型300kN瓷绝缘子串的绝缘子片数，如表14-3-1所示。

耐张绝缘子串的绝缘子片数一般可取悬垂串同等数值。

在Ⅲ级以上污区，复合绝缘子的结构高度和爬电距离应不小于同一污区瓷绝缘子串的80%,但其结构高度不得低于I级污秽等级的瓷绝缘子串长。

表14-3-1不同污秽等级下1000kV线路绝缘子串的绝缘子片数

污秽等级

等值盐密(mg/cm2)

绝缘子片数

单I串

单V串

0

0.03

46

40

I

0.06

52

45

Ⅱ

0.10

56

49

Ⅲ

0.25

67

58

IV

0.35

71

62

注(1)设计目标电压为1.1×1100/√3kV=699kV;

(2)绝缘子结构高度195mm,爬电距离485mm;

(3)表中污秽等级按我国GB/T16343—1996划分，