2026—2027年超低介电常数与超低损耗因子芯片互连介质材料研发获半导体基金追捧.pptxVIP

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目录

一、不止于摩尔：为什么说后摩尔时代芯片性能突破的钥匙在于互连介质材料的革命性创新？

二、解码核心技术壁垒：从原子尺度到宏观性能，超低介电常数与超低损耗因子材料研发面临哪些科学与工程双重挑战？

三、材料图谱全景透视：从多孔有机硅酸盐到新兴纳米气凝胶，哪些候选材料体系正引领超低k/超低损耗的研发浪潮？

四、工艺集成生死线：先进互连介质材料如何穿越刻蚀、清洗、CMP与封装的重重考验，实现与现有CMOS工艺的完美兼容？

五、性能评估与可靠性迷雾：建立何种全新的电学、力学与热学表征体系，以精准预言材料在极端工况下的十年寿命？

六、资本视角深度剖析：半导体产业基金与风险投资为