高压半桥驱动器设计手册：特性与应用.pdfVIP

数据表编号：PD‑6.028C

IR2111

半桥驱动器

特性产品概述

n为启动操作设计的浮动通道完全适用于+600VOFFSET最大600V

V负瞬态电压耐受dV/dt免疫n栅极驱动电源范

+200mA/420mA

围从10到20Vn双通道欠压锁定nCMOSIO/‑

触发输入带下拉n双通道匹配延迟n设VOUT10‑20V

定死区时间n高侧输出与输入同相

导通/关断时间（典850150纳秒

型值）

死区时间（典型值）700纳秒

封装

描述

IR2111是一种高压、高速功率MOSFET和I

GBT驱动器，具有依赖于高侧和低侧参考输出通道

的设计，适用于半桥应用。专有的HVIC和闩锁免

疫CMOS技术实现了坚固的单片构造。逻辑输入

与CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲

电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器交叉传导。内

部死区时间用于避免输出半桥中的直通。浮动通道

可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或

IGBT，最高可工作至600伏。

典型连接

CONTROL我NTEGRATEDCIRCUITDESIGNERSMANUALB-39

DataSheetNo.PD-6.028C

IR2111

HALF-BRIDGEDRIVER

FeaturesProductSummary

nFloatingchanneldesignedforbootstrapoperationVOFFSET600Vmax.

Fullyoperationalto+600V

ToleranttoneivetransientvoltageIO+/-200mA/420mA

dV/dtimmune

nedrivesupplyrangefrom10to20VVOUT10-20V

nUndervoltagelockoutforbothchannels

nCMOSSchmitt-triggeredinputswithpull-downton/off(typ.)850150ns

nMatchedprop