SAM-ps-x数据表：10nm微芯片激光器开关参数.pdfVIP

1数据表SAM‑1064‑9‑47ps‑x

SAM数据表SAM‑1064‑9‑47ps‑x,=1064nm用于微芯

片激光器Q开关

激光波长=1064nm

高反射带（R70%）=1010..1110nm

808nm处的反射率R808=67%

吸光度A=9%

0

调制深度R=5.7%

非饱和损耗A=3.3%

ns

=49μJ/cm2

饱和通量sat

弛豫时间常数~47ps

损伤阈值=2.5毫焦/平方厘米2

面积4mmx4mm；可根据要求其他尺寸

厚度450μm

介电涂层在808nm处高反射(HR)和在1064nm处抗反射(AR)

安装选项x表示如下类型的安装：

x=0未安装

x=12.7克粘贴在12.7毫米的铜散热器上

x=25.4克粘贴在25.4毫米的铜散热器上

x=12.7秒焊接在12.7毫米的铜散热器上

x=25.4秒焊接在25.4毫米的铜散热片上

x=25.4w焊接在水冷铜散热片上，尺寸为25.4毫米

x=FC安装在1米长的单模光纤电缆上，带有FC连接器

低强度光谱反射率

：9‑0传E

BATOPGmbH德意志耶拿号：D813698804代码

Wildenbruchstraße15真：9‑20电子税务：162/106/01639：3922655耶拿地方商业

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1DataSheetSAM-1064-9-47ps-x

SAMDataSheetSAM-1064-9-47ps-x,1064nm

formicrochiplaserQ-switching

Laserwavelength1064nm

Highreflectionband(R70%)1010..1110nm

Reflectanceat808nmR808=67%

AbsorbanceA9%