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《ArF光刻胶释气测量方法》标准发展研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheDevelopmentoftheStandardforMeasurementMethodofOutgassingfromArFPhotoresist

摘要

随着全球半导体产业向更先进制程（如7纳米、5纳米及以下）不断迈进，ArF（193nm）光刻胶已成为集成电路制造中用量最大、技术门槛最高的关键材料之一，其性能直接决定了芯片的良率与可靠性。然而，光刻胶在涂布、曝光等工艺过程中可能释放出挥发性有机物（VOCs）及阴离子等污染物，即“释气”现象。这些释气物会污染昂贵精密的光刻机内部光学系统与腔体，导致透镜污染、能效下降，甚至造成不可逆的设备损伤，是光刻胶能否“上机”验证和规模化应用前必须严格评估的“准入门槛”。长期以来，相关测试方法被少数国际领先企业所掌握，形成了技术壁垒。

本报告旨在系统阐述《ArF光刻胶释气测量方法》标准立项的背景、核心价值、技术内容及其对产业发展的战略意义。该标准基于国家级科研项目的成果，通过系统的文献调研与实验验证，自主开发了一套完整的释气测量技术方案。标准规定了从样品制备（旋涂成膜）、光刻性能参数测量（曝光、椭偏仪检测）到释气物收集与分析（热脱附-气相色谱/质谱法用于VOCs，离子色谱法用于阴离子）的全流程方法。本标准的制定与实施，将填补国内在该领域基础评价方法的空白，为光刻胶的研发、质量控制、国产化替代及产业链上下游协同提供统一、科学、权威的技术依据，是推动我国半导体材料产业实现自主可控、高质量发展的重要基础设施。

关键词：

ArF光刻胶；释气测量；挥发性有机物；热脱附-气相色谱/质谱法；离子色谱法；半导体材料；标准化；质量控制

ArFPhotoresist;OutgassingMeasurement;VolatileOrganicCompounds;TD-GC/MS;IonChromatography;SemiconductorMaterials;Standardization;QualityControl

正文

一、立项背景与战略意义

光刻胶是集成电路制造中的核心光刻材料，其性能直接决定了图形转移的精度和芯片的最终性能。其中，ArF（193nm）光刻胶凭借其优异的分辨率，是支撑90nm至7nm乃至更先进逻辑芯片制程的主流材料，市场需求巨大。然而，我国在高端ArF光刻胶领域长期依赖进口，产业链存在明显的“卡脖子”风险。推动ArF光刻胶的国产化与产业化，已成为国家半导体产业战略中“补链、强链”的重点任务。

在光刻胶的实用化进程中，“释气”特性是一项至关重要的基础性、先导性评价指标。它并非直接评价光刻胶的分辨率或线宽粗糙度等图形化性能，而是评估其在光刻机实际工作环境（如真空腔体、特定波长光照及热条件下）的化学稳定性与洁净度。释气产生的污染物会沉积在光刻机投影物镜、激光系统等核心部件上，导致透光率下降、像差增大，严重影响曝光均匀性和设备寿命。因此，释气测试是光刻胶产品进入芯片制造产线进行上机验证前的强制性“通行证”。

长期以来，国际顶尖的光刻机厂商（如ASML）、光刻胶供应商（如JSR、信越化学）及芯片制造巨头在每一代新制程研发初期，都已建立了严密的企业内部释气测试规范，构成了其技术护城河的一部分。国内相关企业和研究机构在此领域的测试方法不一，数据可比性差，缺乏统一的权威评价依据，严重制约了国产光刻胶的研发迭代、客户认证与市场推广。

因此，制定《ArF光刻胶释气测量方法》国家或行业标准，具有紧迫的现实意义和深远的战略价值：

1.打破技术壁垒：对标国际先进企业的技术规范，建立自主、公开、透明的测试方法体系，打破国外企业的技术垄断。

2.提供统一标尺：为国内光刻胶研发机构、生产企业、用户单位以及第三方检测机构提供科学、统一、可重复的测试方法，使产品质量评价有据可依。

3.支撑国产化进程：为我国正在大规模开展的ArF光刻胶国产化攻关提供关键的质量评价工具，加速研发进程，降低验证成本，提升产品竞争力。

4.促进产业协同：标准的建立有助于材料供应商与设备商、芯片制造商之间形成共同的技术语言和评价基准，促进产业链上下游的高效协作。

5.践行科研与标准融合：本标准源于“电子化学品行业测试评价中心建设”等国家级科研专项，是落实国家关于“加强技术标准研制，推动科技创新与标准化互动发展”政策要求的具体实践，实现了科研成果向产业生产力的高效转化。

二、标准范围与核心技术内容

本标准文件明确规定了ArF光刻胶释气特性的测量方法，其适用范围覆盖了从基础研究到产业化生产的多个关键环节，包括但不限于：新型ArF光刻胶配方的研发与筛选、原材料