《GB_T 15877-2013半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范》专题研究报告.pptx

《GB/T15877-2013半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架规范》专题研究报告;目录目录目录目录目录目录目录目录目录;;标准制定的行业背景与核心目标;（二）蚀刻型双列封装的技术特性与行业价值;（三）标准作为行业质量“定盘星”的核心依据;;标准适用范围的精准界定与核心覆盖领域;;;核心材料选用规范与性能要求;

四、疑点破解：蚀刻工艺技术要求与质量判定标准，如何规避量产中的常见工艺痛点？

蚀刻工艺核心技术参数与控制要求

标准明确蚀刻工艺包括酸性蚀刻（适用于铜合金）、碱性蚀刻（适用于镍合金），核心参数为蚀刻液浓度（酸液100-150g/L）、蚀刻温度（25-